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防止划片损伤的CMOS图像传感器结构及其制作方法技术
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文档序号:16820964
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本发明公开了一种防止划片损伤的CMOS图像传感器结构及其制作方法,通过在电路硅片芯片外围区域的硅衬底上、下表面形成相连通的中空第一、第二沟槽,与位于其下方第一介质层中的保护环结合,在芯片内部区域外围形成一个复合的保护环结构,使得在划片槽区域...
该专利属于上海微阱电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海微阱电子科技有限公司授权不得商用。
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