集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供一种集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构及封装方法，包括：重新布线层，透明盖板，封装于所述重新布线层的第一面上；金属引线结构，凸设于所述重新布线层的第二面上；图像传感器芯片及逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第二面上，且所述图像传感器芯片、所述逻辑芯片与所述金属引线结构通过所述重新布线层实现相互之间的电连接；封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上。本发明专利技术可以在同一个封装腔中集成图像传感器芯片及逻辑芯片，具有封装体积小，器件可靠性高的优点；本发明专利技术通过预先制作的金属柱实现重新布线层的电性引出，不需要进行硅穿孔等工艺，可以大大节省工艺成本。

Encapsulation structure and encapsulation method of integrated image sensor chip and logic chip

Including the packaging structure and method, the invention provides an integrated image sensor chip and the logic chip: re wiring layer, a transparent cover plate, encapsulated in the re wiring layer on the first surface; the metal wire structure, which is arranged on the convex surface of the re wiring second; image sensor chip and the logic chip set in the re wiring second surface layer, and the image sensor chip, the logic chip and the metal wire structure through the re wiring layer to achieve mutual electrical connection; packaging material, formed in the re wiring layer on the second side. The invention can be in the same package cavity integrated image sensor chip and logic chip, has the advantages of small package, high reliability of the device; the invention through the metal column pre made to achieve re wiring electrical outlet layer, without the need for silicon perforation technology, can greatly save the cost of the process.

【技术实现步骤摘要】
集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构及封装方法
本专利技术属于半导体封装领域，特别是涉及一种集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构及封装方法。
技术介绍
随着集成电路的功能越来越强、性能和集成度越来越高，以及新型的集成电路出现，封装技术在集成电路产品中扮演着越来越重要的角色，在整个电子系统的价值中所占的比例越来越大。同时，随着集成电路特征尺寸达到纳米级，晶体管向更高密度、更高的时钟频率发展，封装也向更高密度的方向发展。由于扇出晶圆级封装(fowlp)技术由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，以及具有更好的性能和更高的能源效率，扇出晶圆级封装(fowlp)技术已成为高要求的移动/无线网络等电子设备的重要的封装方法，是目前最具发展前景的封装技术之一。现有的图像传感器芯片封装通常具有厚度较厚，硅穿孔工艺成本较高，金属连线容易断裂，整体良率较低等诸多缺点。另外，图像传感器芯片，如人脸识别芯片等，通常需要搭配逻辑芯片集成使用，现有的制作方法是将单独封装好的图像传感器芯片通过外部连线与逻辑芯片进行电性连接。这种封装方法使得器件的体积较大，组装工艺过程较为复杂，且需要外部连线使得结构的稳定性大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面；透明盖板，封装于所述重新布线层的第一面上；金属引线结构，凸设于所述重新布线层的第二面上；图像传感器芯片及逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第二面上，且所述图像传感器芯片、所述逻辑芯片与所述金属引线结构通过所述重新布线层实现相互之间的电连接；以及封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，并包覆于所述图像传感器芯片、所述逻辑芯片及所述金属引线结构，其中，所述金属引线结构露出于所述封装材料。

【技术特征摘要】
1.一种集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：重新布线层，包括第一面以及与所述第一面相对的第二面；透明盖板，封装于所述重新布线层的第一面上；金属引线结构，凸设于所述重新布线层的第二面上；图像传感器芯片及逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第二面上，且所述图像传感器芯片、所述逻辑芯片与所述金属引线结构通过所述重新布线层实现相互之间的电连接；以及封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，并包覆于所述图像传感器芯片、所述逻辑芯片及所述金属引线结构，其中，所述金属引线结构露出于所述封装材料。2.根据权利要求1所述的集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，其特征在于：所述金属引线结构包括金属柱、焊料球、及金属柱与焊料凸点所组成的叠层中的一种。3.根据权利要求2所述的集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，其特征在于：所述金属柱包括铜柱、银柱、金柱、铝柱及钨柱中的一种，所述焊料球或焊料凸点的包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。4.根据权利要求1所述的集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，其特征在于：所述金属引线结构的高度大于所述图像传感器芯片及逻辑芯片的厚度。5.根据权利要求1所述的集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，其特征在于：所述图像传感器芯片包括基底，形成于所述基底上的图像识别区域以及形成于所述基底边缘区域的焊盘，所述焊盘与所述图像识别区域电性连接，所述图像识别区域完全露出于所述重新布线层。6.根据权利要求1所述的集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，其特征在于：所述封装材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。7.根据权利要求1所述的集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层。8.根据权利要求7所述的集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，其特征在于：所述介质层的材料包括环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一种或两种以上组合，所述金属布线层的材料包括铜、铝、镍、金、银、钛中的一种或两种以上组合。9.根据权利要求1所述的集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，其特征在于：所述透明盖板基于金锡键合层封装于所述重新布线层上，所述透明盖板、所述重新布线层与封装材料形成所述图像传感器芯片及逻辑芯片的封装腔。10.一种集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：1)提供一支撑衬底，于所述支撑衬底表面形成分离层；2)于所述分离层上形成金属引线结构；3)提供图像传感器芯片及逻辑芯片，将所述图像传感器芯片及逻辑芯片粘附于所述分离层上，其中，所述图像传感器芯片及逻辑芯片具有电引出结构的一面朝向所述分离层；4)采用封装材料对所述图像传感器芯片及逻辑芯片进行封装；5)基于所述分离层分离所述封装材料与所述支撑衬底；6)于所述封装材料、图像传感器芯片及逻辑芯片上制作重新布线层，以实现所述图像传感器芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，何志宏，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32