中介层、半导体封装结构及半导体工艺制造技术

本发明专利技术揭示一种中介层，其包含互连结构及重布层。所述互连结构包含金属层、至少一个金属导通体及隔离材料。所述金属层界定具有侧壁的至少一个通孔。所述至少一个金属导通体安置在所述通孔中。在所述至少一个金属导通体与所述通孔的所述侧壁之间具有空间，且所述隔离材料填充所述空间。所述重布层安置在所述互连结构的表面上且电连接到所述金属导通体。

Intermediate layer, semiconductor packaging structure and semiconductor technology

The invention discloses an intermediary layer, which includes an interconnect structure and a heavy cloth layer. The interconnect structure includes a metal layer, at least one metal conducting body and an isolating material. The metal layer defines at least one through hole with a side wall. The at least one metal conducting body is placed in the through hole. There is space between the at least one metal guide body and the side wall of the through hole, and the isolation material fills the space. The heavy cloth layer is placed on the surface of the interconnection structure and electrically connected to the metal guide body.

【技术实现步骤摘要】
中介层、半导体封装结构及半导体工艺
本专利技术涉及一种中介层、一种半导体封装结构及一种半导体工艺，且更特定来说，涉及一种具有金属层的中介层、一种包含所述中介层的半导体封装结构，及一种用于制造所述中介层的半导体工艺。
技术介绍
常规半导体封装结构包含具有导电通孔的中介层(interposer)以电连接高密度重布层(redistributionlayer,RDL)及低密度重布层。常规中介层的材料可为硅或有机材料。常规硅中介层具有高成本及制造工艺复杂的缺陷。常规有机中介层具有热膨胀系数不同于导电通孔及电路层的热膨胀系数(coefficientthermalexpansion,CTE)的缺陷，因此，常规有机中介层可能发生非预期的翘曲。另外，常规中介层的导电通孔的分布密度有限。
技术实现思路
在一方面中，中介层包含互连结构(interconnectionstructure)及重布层。所述互连结构包含金属层、至少一个金属导通体(metalvia)及隔离材料(isolationmaterial)。所述金属层界定具有侧壁的至少一个通孔。所述至少一个金属导通体安置在所述通孔中。在所述至少一个金属导通体与所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中介层，其包括：互连结构，其包括：金属层，其界定具有侧壁的至少一个通孔；至少一个金属导通体，其安置在所述通孔中，且在所述至少一个金属导通体与所述通孔的所述侧壁之间具有空间；以及隔离材料，其填充所述空间；以及重布层，其安置在所述互连结构的表面上且电连接到所述金属导通体。

【技术特征摘要】
2016.06.09 US 15/178,0661.一种中介层，其包括：互连结构，其包括：金属层，其界定具有侧壁的至少一个通孔；至少一个金属导通体，其安置在所述通孔中，且在所述至少一个金属导通体与所述通孔的所述侧壁之间具有空间；以及隔离材料，其填充所述空间；以及重布层，其安置在所述互连结构的表面上且电连接到所述金属导通体。2.根据权利要求1所述的中介层，其中所述金属导通体渐缩。3.根据权利要求1所述的中介层，其中安置在所述通孔中的所述至少一个金属导通体为安置在所述通孔中的单个金属导通体，且所述空间从上面看具有环形形状且环绕所述金属导通体。4.根据权利要求1所述的中介层，其中所述金属导通体朝向所述金属导通体的第一表面向内弯曲且朝向所述金属导通体的第二表面向内或向外弯曲，所述第二表面与所述第一表面相对。5.根据权利要求1所述的中介层，其中所述重布层包括一或多个绝缘层、一或多个电路层及一或多个互连元件，且其中最接近于所述互连结构的第一绝缘层延伸到所述空间中且包含所述隔离材料。6.根据权利要求1所述的中介层，其中所述互连结构的所述表面为第一表面且所述互连结构具有与所述第一表面相对的第二表面，且所述重布层为在所述互连结构的所述第一表面上的第一重布层，所述中介层进一步包括在所述互连结...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，黄敏龙，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71