半导体结构、HEMT结构及其形成方法技术

本揭露提供一种半导体结构、HEMT结构及其形成方法。所述半导体结构包含沟道层；位于所述沟道层上方的有源层，其中所述有源层经配置以形成二维电子气体2DEG，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述有源层之间的界面形成在所述沟道层中；形成在所述有源层的顶表面上方的栅极电极；以及位于所述有源层的所述顶表面上方的源极/漏极电极；其中所述有源层包含从所述顶表面到所述有源层的底表面依序堆栈的第一层与第二层，相较于所述第二层，所述第一层具有较高的铝(Al)原子浓度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构、HEMT结构及其形成方法
本揭露涉及一种半导体结构、HEMT结构及其形成方法。
技术介绍
由于高电流密度、高崩溃电压以及低OB阻抗，高电子移动性晶体管(HighElectronMobilityTransistors，HEMT)适合用于电力应用。HEMT结构包含沟道层与有源层。二维电子气体(two-dimensionalelectrongas，2DEG)在沟道层中产生，所述沟道层与有源层的界面相邻。2DEG用于HEMT结构中作为电荷载体。HEMT结构的问题为电荷落入栅极的漏极侧，其可造成已知为在高电压操作之下的“电流崩塌(currentcollapse)”现象。因此，需要具有低开启阻抗与低电流崩塌以及改进的界面捕捉密度(interfacetrapdensity)与线性漏极电流退化的装置。本揭露的实施例至少响应这些需求。
技术实现思路
本揭露的一些实施例提供一种半导体结构，所述半导体结构包含沟道层；位于所述沟道层上方的有源层，其中所述有源层经配置以形成二维电子气体(two-dimensionalelectrongas，2DEG)，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述有源层之间的界本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：沟道层；有源层，位于所述沟道层上方，所述有源层经配置以形成二维电子气体2DEG，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述有源层之间的界面形成在所述沟道层中；栅极电极，形成在所述有源层的顶表面上方；以及源极/漏极电极，位于所述有源层的所述顶表面上方；其中所述有源层包含从所述顶表面到所述有源层的底表面依序堆栈的第一层与一第二层，相较于所述第二层，所述第一层具有较高的铝(Al)原子浓度。

【技术特征摘要】
2016.06.03 US 15/172,7751.一种半导体结构，包括：沟道层；有源层，位于所述沟道层上方，所述有源层经配置以形成二维电子气体2DEG，所述二维电子气体沿着所述沟道层与所述有源层之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张耀中，陈柏智，余俊磊，蔡俊琳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71