一种高速电力开关器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高速电力开关器件，包括控制信号输入端，第一开关连接端、第二开关连接端和高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管包括衬底；位于衬底上的半导体层，其中，半导体层包括异质结构，异质界面形成二维电子气，栅区的半导体层上形成有凹槽，且凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度；位于半导体层上两端的源极和漏极，源极与第一开关连接端电连接，漏极与第二开关连接端电连接；位于凹槽中的第一介质层；位于第一介质层上的浮栅；包覆浮栅和第一介质层的第二介质层；位于第二介质层上的控制栅，控制栅与控制信号输入端电连接。本实用新型专利技术采用高电子迁移率晶体管，得到了高性能、低损耗的电力开关器件。

【技术实现步骤摘要】
一种高速电力开关器件
本技术涉及电力开关
，尤其涉及一种高速电力开关器件。
技术介绍
第三代宽禁带半导体材料因其优异的性能得到了飞速发展。由于AlGaN/GaN异质结压电极化和自发极化作用，半导体氮化镓的异质结构的沟道具有高电子(二维电子气)浓度、高电子迁移率及高电子饱和速度。目前，氮化镓高电子迁移率晶体管包括耗尽型器件和增强型两种。氮化镓高电子迁移率晶体管属于平面沟道场效应晶体管。该器件工作原理上不同于MESFET和MOSFET的主要之处是：氮化镓高电子迁移率晶体管源漏间导电沟道是器件结构中自然形成的二维电子气(Two-dimensionalelectrongas,2DEG)，而MESFET是掺杂薄层，MOSFET是场致反型层。在氮化镓高电子迁移率晶体管中，可通过调整栅极电压来改变2DEG的电子浓度，从而控制器件的工作状态。HEMT已经成功的应用于微波低噪声放大领域，并在高速数字集成电路方面取得了明显的进展。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的是提出一种高速电力开关器件，高速电力开关器件采用高电子迁移率晶体管，以提供高性能、低损耗的电力开关器件。为实现上述目的，本技术采用如下技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高速电力开关器件，其特征在于，包括控制信号输入端，第一开关连接端、第二开关连接端和高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，其中，所述半导体层包括有源区，所述有源区包括源区、漏区及源区与漏区之间的栅区，所述半导体层包括异质结构，异质界面形成二维电子气，所述栅区的半导体层上形成有凹槽，且所述凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度；位于所述半导体层上两端的源极和漏极，且所述源极位于所述源区上，所述漏极位于所述漏区上，所述源极与所述第一开关连接端电连接，所述漏极与所述第二开关连接端电连接；位于所述凹槽中的第一介质层；位于所述第一介质层上的浮栅，...

【技术特征摘要】
1.一种高速电力开关器件，其特征在于，包括控制信号输入端，第一开关连接端、第二开关连接端和高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，其中，所述半导体层包括有源区，所述有源区包括源区、漏区及源区与漏区之间的栅区，所述半导体层包括异质结构，异质界面形成二维电子气，所述栅区的半导体层上形成有凹槽，且所述凹槽下方半导体层的厚度大于满足增强型晶体管条件的厚度；位于所述半导体层上两端的源极和漏极，且所述源极位于所述源区上，所述漏极位于所述漏区上，所述源极与所述第一开关连接端电连接，所述漏极与所述第二开关连接端电连接；位于所述凹槽中的第一介质层；位于所述第一介质层上的浮栅，用于存储电子，得到增强型高电子迁移率晶体管；包覆所述浮栅和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋苓利，李涛，王宁，于洪宇，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：新型
国别省市：广东,44