一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备和使用方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备和使用方法，晶体管包括氮化镓外延结构、源电极、漏电极和两个栅电极；所述的源电极和漏电极分别与氮化镓外延结构形成欧姆连接，所述的两个栅电极均位于源电极和漏电极之间，两个栅电极均包括总线和与总线连接的多个分支线，所述的总线与氮化镓外延结构形成肖特基接触，分支线的四周采用介质包裹并深入至氮化镓外延结构的沟道层，同时两个栅电极的分支线呈叉指状排布。本发明专利技术在单一栅压调控沟道载流子的基础上再额外引入了栅压差这一调控因素，使得栅对沟道载流子的调控手段更加丰富、更加有效，有利于实现器件更加灵活的工作。

GaN high electron mobility transistor and its preparation and application method

The invention discloses a GaN high electron mobility transistor and its preparation and use method of transistor includes a gallium nitride epitaxial structure, a source electrode, a drain electrode and the two gate electrode; the source electrode and a drain electrode of the Gan epitaxial structure respectively with ohmic connection, two gate electrodes are located in the source electrode and a drain electrode between the two gate electrode includes a bus and a plurality of branch line connected with the bus, the bus and the gallium nitride epitaxial structure of the formation of Schottky contact around the branch line using the channel layer medium package and deep to the Gan epitaxial structure, and branch line two gate electrode is interdigitated arrangement. On the basis of single gate voltage regulating channel carrier, the control factor of gate pressure difference is added, which makes the control method of gate to channel carrier more abundant and more effective, and is beneficial to realize the flexible operation of device.

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备和使用方法
本专利技术涉及化合物半导体器件
，一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备和使用方法。
技术介绍
第三代半导体氮化镓因击穿场强高、抗辐照性能好、耐高温工作而获得学界和业界越来越多的关注。目前，GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）因其特有的高电子迁移率、高二维电子气面密度、高击穿电场、高功率输出密度，被视为下一代射频/微波功率放大器的首选技术。GaNHEMT为三端子器件，分为栅、源、漏三个电极。载流子在漏压的驱使下由源电极向漏电极输运，形成漏电流，而栅极是调控漏电流大小的核心手段。现有技术仅仅通过栅极电压去影响沟道载流子输运，器件输出电流调控方式单一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备和使用方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括氮化镓外延结构、源电极、漏电极和两个栅电极；所述的源电极和漏电极分别与氮化镓外延结构形成欧姆连接，所述的两个栅电极均位于源电极和漏电极之间，两个栅电极均包括总线和与总线连接的多个分支线，所述的总线与氮化镓外延结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括氮化镓外延结构、源电极、漏电极和两个栅电极；所述的源电极和漏电极分别与氮化镓外延结构形成欧姆连接，所述的两个栅电极均位于源电极和漏电极之间，两个栅电极均包括总线和与总线连接的多个分支线，所述的总线与氮化镓外延结构形成肖特基接触，分支线的四周采用介质包裹并深入至氮化镓外延结构的沟道层，同时两个栅电极的分支线呈叉指状排布。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括氮化镓外延结构、源电极、漏电极和两个栅电极；所述的源电极和漏电极分别与氮化镓外延结构形成欧姆连接，所述的两个栅电极均位于源电极和漏电极之间，两个栅电极均包括总线和与总线连接的多个分支线，所述的总线与氮化镓外延结构形成肖特基接触，分支线的四周采用介质包裹并深入至氮化镓外延结构的沟道层，同时两个栅电极的分支线呈叉指状排布。2.根据权利要求1所述的一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述的氮化镓外延结构从下至上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。3.根据权利要求1所述的一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：还包括位于氮化镓外延结构底部的衬底。4.根据权利要求1所述的一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述的介质为SiN介质。5.一种如权利要求1~4中任意一项所述的一种氮化镓高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：通过金属有机化合物气相沉积的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔欣，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51