高电子迁移率晶体管和其制造方法技术

一种HEMT，其包括多个第一单个单元和至少一个第二单个单元，第二单个单元具有第一绝缘层，第一绝缘层垂直于衬底前侧地布置并且从衬底前侧延伸至二维电子气中，从而产生具有第一栅极连接端的第一单个晶体管和具有第二栅极连接端的第二单个晶体管，第一单个晶体管和第二单个晶体管并联电连接并且具有源极连接端和漏极连接端，在漏极连接端和源极连接端之间在第二单个晶体管的区域中布置有电位接触部，电位接触部垂直于衬底前侧地布置并且从衬底前侧伸展至第二单个晶体管的二维电子气中，从而在漏极连接端和第二栅极连接端之间产生第一电阻并且在第二栅极连接端和源极连接端之间产生第二电阻，设有将电位接触部和第二栅极连接端电连接的装置。

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

A HEMT, which comprises a plurality of first single unit and at least one second single unit, second single unit has a first insulating layer, a first insulating layer perpendicular to the substrate and the front substrate arranged from front extension to two-dimensional electron gas, resulting in even the first single transistor having a first gate terminal and a second gate connection the end of the second single transistor, the first transistor single and second single transistor electrically connected in parallel with the source and drain connection end connection end in the drain and source connection between the connecting ends of the area of the second single crystal tube is arranged in contact with potential, potential contact portion perpendicular to the substrate and front side arrangement stretching from the substrate to second side single transistor two-dimensional electron gas, resulting in a drain connection terminal and the second gate is connected between the first resistor and end A second resistor is generated between the second grid connection end and the source connection end, and a device for electrically connecting the potential contact part and the second grid connection end is provided.

【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管和其制造方法
本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管HEMT以及一种用于制造高电子迁移率晶体管的方法。
技术介绍
基于氮化镓的横向功率晶体管HEMT不是过压稳定的，因为该HEMT的介电层，例如缓冲层和屏蔽电容，在相比HEMT所基于的半导体衬底更小的场强时便会击穿。这些晶体管不雪崩。可以用于安全地运行HEMT的最大的雪崩能量相应于以下能量的量，该能量的量可以与最大的反向电压一起存储在输出电容上。在此，缺点是：在超过该最大的反向电压的情况下发生不可逆的介电击穿并且该HEMT被毁坏。构件的毁坏同样在基于IGBT的构件中已知。在此，为了进行保护以防过压，使用齐纳二极管和雪崩二极管的错接(Verschaltung)。然而，对于HEMT不遵循该方案，因为齐纳二极管和雪崩二极管不能够集成到HEMT技术中。此外，在此不利的是，这些二极管不够快速，因为GaN(氮化镓)HEMT具有高的切换速度。文献DE102013102457A1描述了一种用于化合物半导体场效应晶体管的过压保护的构件。该构件包含布置在化合物半导体材料中的注入区。该注入区具有空间上分布的陷阱状态该陷阱状态引起注入区在阈值电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种HEMT(100、500)，其包括多个第一单个单元(201)和至少一个第二单个单元(214、314、414)，其中，所述第二单个单元(214、314、414)具有第一绝缘层(202、302、402)，所述第一绝缘层垂直于衬底前侧地布置并且从所述衬底前侧延伸至二维电子气中，从而产生具有第一栅极连接端(205、305、405)的第一单个晶体管(204、304、404)和具有第二栅极连接端(207、307、407)的第二单个晶体管(206、306、406)，其中，所述第一单个晶体管(204、304、404)和所述第二单个晶体管(206、306、406)并联电连接并且具有源极连接端(108、208...

【技术特征摘要】
2016.03.29 DE 102016205079.61.一种HEMT(100、500)，其包括多个第一单个单元(201)和至少一个第二单个单元(214、314、414)，其中，所述第二单个单元(214、314、414)具有第一绝缘层(202、302、402)，所述第一绝缘层垂直于衬底前侧地布置并且从所述衬底前侧延伸至二维电子气中，从而产生具有第一栅极连接端(205、305、405)的第一单个晶体管(204、304、404)和具有第二栅极连接端(207、307、407)的第二单个晶体管(206、306、406)，其中，所述第一单个晶体管(204、304、404)和所述第二单个晶体管(206、306、406)并联电连接并且具有源极连接端(108、208、308、408、508)和漏极连接端(109、209、309、409、509)，其特征在于，在所述漏极连接端(109、209、309、409、509)和所述源极连接端(108、208、308、408、508)之间在所述第二单个晶体管(206、306、406)的区域中布置有电位接触部(213、313、413)，所述电位接触部垂直于所述衬底前侧地布置并且从所述衬底前侧伸展至所述第二单个晶体管(206、306、406)的所述二维电子气中，从而在所述漏极连接端(109、209、309、409、509)和所述第二栅极连接端(207、307、407)之间产生第一电阻(510)并且在所述第二栅极连接端(207、307、407)和所述源极连接端(108、208、308、408、508)之间产生第二电阻(511)，其中，设有将所述电位接触部(213、313、413)和所述第二栅极连接端(207、307、407)电连接的装置。2.根据权利要求1所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述装置为栅极场板。3.根据权利要求1或2所述的HEMT(100、500)，其特征在于，所述第二栅极连接端(207、307、407)的面积与所述电位接触部(213、313、413)的面积相应。4.根据权利要求1至2中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·诺尔，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE