半导体器件、显示装置和它们的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示出优良的电特性的半导体器件和该半导体器件的制作方法。或者提供具有该半导体器件的显示装置和该显示装置的制作方法。本发明专利技术提供的半导体器件包括：第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和栅极电极与氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；绝缘膜，其位于第1晶体管上，具有第1膜和第1膜上的第2膜；和端子，其通过绝缘膜内的开口部与氧化物半导体膜电连接。绝缘膜具有与端子接触的第1区域，第1区域与绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。

Semiconductor device, display device, and method of manufacturing the same

The present invention provides a semiconductor device exhibiting excellent electrical characteristics and a manufacturing method of the semiconductor device. Or a display device having the semiconductor device and a method of manufacturing the display device. The invention provides a semiconductor device includes a first transistor, which is located on the substrate, with a gate between the gate electrode and the semiconductor oxide film and a gate electrode and the oxide semiconductor film insulating film; insulating film, which is located in the first transistor, with second film first film and first film; and the terminal through the opening of the insulating film the inner part is connected with the oxide semiconductor film. The insulating film has a first region in contact with the terminal, and the first region has a large composition of oxygen compared to the other regions of the insulating film.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、显示装置和它们的制作方法
本专利技术的实施方式之一涉及半导体器件、具有半导体器件的显示装置和它们的制作方法。
技术介绍
作为表示半导体特性的代表性例子，能够举出硅元素(硅)和锗等第14族元素。特别是由于硅容易获得、容易加工、半导体特性优良、特性容易控制等，几乎在所有的半导体器件中使用，被定位为支撑电子学产业的基干的材料。近年来，发现在氧化物、特别是铟和镓等13族元素的氧化物中存在半导体特性，以此为契机进行了全力以赴的研究开发。作为展现出半导体特性的氧化物(以下称为氧化物半导体)的代表例，已知有铟镓氧化物(IGO)和铟镓锌氧化物(IGZO)等。最近的全力以赴的研究开发的结果，已经达到具有包含这些氧化物半导体的晶体管作为半导体元件的显示装置上市销售的程度。此外，例如如日本特开2015-225104号公报、国际公开第2015-031037号公报、美国专利申请公开第2010/0182223号公报所公开的，组装有将具有含硅半导体(以下称为硅半导体)的晶体管和具有氧化物半导体的晶体管这两者的半导体器件也已被开发。
技术实现思路
解决技术问题的技术方案本专利技术的实施方式之一是一种半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具有：第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和所述栅极电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；绝缘膜，其位于所述第1晶体管上，具有第1膜和所述第1膜上的第2膜；和端子，其通过所述绝缘膜内的开口部与所述氧化物半导体膜电连接，所述绝缘膜具有与所述端子接触的第1区域，所述第1区域与所述绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。

【技术特征摘要】
2016.03.28 JP 2016-0632381.一种半导体器件，其特征在于，具有：第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和所述栅极电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；绝缘膜，其位于所述第1晶体管上，具有第1膜和所述第1膜上的第2膜；和端子，其通过所述绝缘膜内的开口部与所述氧化物半导体膜电连接，所述绝缘膜具有与所述端子接触的第1区域，所述第1区域与所述绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第1区域的所述氧的组成随着从与所述端子的交界面起的距离的增大而减少。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第1区域的所述氧的组成在与所述衬底的表面平行的方向上随着从与所述端子的交界面起的距离的增大而减少。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述第1膜含有硅和氧，所述第2膜含有硅和氮，所述第1区域包含于所述第2膜。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：所述绝缘膜在所述第2膜上还具有第3膜，所述第3膜含有硅和氧。6.一种显示装置，其特征在于，具有：第1晶体管，其位于衬底上，具有栅极电极、氧化物半导体膜和所述栅极电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜；绝缘膜，其位于所述第1晶体管上，具有第1膜和所述第1膜上的第2膜；端子，其通过所述绝缘膜内的开口部与所述氧化物半导体膜电连接；所述端子上的平坦化膜；和所述平坦化膜上的显示元件，所述绝缘膜具有与所述端子接触的第1区域，所述第1区域与所述绝缘膜的其它区域相比氧的组成大。7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：所述第1区域的所述氧的组成随着从与所述端子的交界面起的距离的增大而减少。8.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：所述显示元件与所述端子电连接。9.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：还具有第2晶体管，该第2晶体管具有含硅的半导体膜、栅极电极和所述半导体膜与所述栅极电极之间的栅极绝缘膜，所述第2晶体管的所述栅极电极与所述第1晶体管电连接，所述显示元件与所述第2晶体管电连接。10.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：具有显示区域和驱动电路区域，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大原宏树，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP