半导体器件、FINFET器件及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了具有最佳应变的源极漏极凹槽轮廓的半导体器件、FinFET器件及其形成方法。一个半导体器件包括衬底、位于衬底上方的栅极堆叠件以及位于衬底的凹槽中和栅极堆叠件旁边的应变层。此外，凹槽的最大宽度处的深度与栅极堆叠件的宽度的比率在从约0.5至0.7的范围。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、FINFET器件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件、FinFET器件及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)工业已经经历了指数增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都比上一代具有更小和更复杂的电路。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也已经增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。例如，已经引进代替平面晶体管的诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维晶体管。虽然现有的FinFET器件和形成FinFET器件的方法对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；栅极堆叠件，位于所述衬底上方；以及应变层，位于所述衬底的凹槽中和所述栅极堆叠件旁边，其中，所述凹槽的最大宽度处的深度与所述栅极堆叠件的宽度的比率在0.5至0.7的范本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；栅极堆叠件，位于所述衬底上方；以及应变层，位于所述衬底的凹槽中和所述栅极堆叠件旁边，其中，所述凹槽的最大宽度处的深度与所述栅极堆叠件的宽度的比率在0.5至0.7的范围。

【技术特征摘要】
2016.03.24 US 15/080,5511.一种半导体器件，包括：衬底；栅极堆叠件，位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏英庭，林琨祐，王英名，许立德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71