制作半导体元件的方法技术

一种制作半导体元件的方法是被提供。此方法包含形成源极/漏极特征于基材中，并在栅极结构的相对侧上；形成蚀刻停止层于源极/漏极特征上；以及沉积介电层于蚀刻停止层。此方法还包含进行具有第一操作参数值的第一原子层蚀刻(Atomic Layer Etching；ALE)制程于介电层上，以形成开口的第一部分；以及进行具有第二操作参数值的第二原子层蚀刻制程，以延伸开口，而暴露出源极/漏极特征。第一操作参数值是不同于第二操作参数值。

【技术实现步骤摘要】
制作半导体元件的方法
本揭露是有关一种半导体元件，且特别是提供一种半导体元件及其制作方法。
技术介绍
于原子层蚀刻(AtomicLayerEtching；ALE)制程的每一循环期间，ALE制程是用以移除材料薄层的蚀刻制程。被移除的层厚度一般大约为一至数个原子厚。蚀刻物是设置于欲蚀刻材料的表面的顶层上。蚀刻物是与欲蚀刻材料的表面原子键结。为了移除蚀刻层与键结至蚀刻层的原子，电荷离子撞击是被导引至蚀刻层。偕同一控制的离子束撞击与蚀刻物，通过ALE制程的每一循环，要求的原子级厚度是被移除。ALE制程是重复进行，直至材料要求的数量由欲蚀刻的材料上被移除。
技术实现思路
一实施例为一种制作半导体元件的方法。此方法包含形成源极/漏极特征于基材，并在栅极结构的相对侧上。然后，形成蚀刻停止层于这些源极/漏极特征上，并沉积介电层于蚀刻停止层上。接着，进行具有第一操作参数值的第一原子层蚀刻于介电层上，以形成开口的第一部分；以及进行具有第二操作参数值的第二原子层蚀刻制程，以延伸此开口，而暴露出源极/漏极特征。其中，第一操作参数值是不同于第二操作参数值。附图说明从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作半导体元件的方法，其特征在于，该制作半导体元件的方法包含：形成多个源极/漏极特征于一基材中，并在一栅极结构的多个相对侧上；形成一蚀刻停止层于所述多个源极/漏极特征上；沉积一介电层于该蚀刻停止层上；于该介电层上进行具有一第一操作参数值的一第一原子层蚀刻制程，以形成一开口的一部分；以及进行具有一第二操作参数值的一第二原子层蚀刻制程，以延伸该开口，而暴露出所述多个源极/漏极特征，其中该第一操作参数值是不同于该第二操作参数值。

【技术特征摘要】
2016.03.25 US 62/313,656;2016.05.27 US 15/167,1111.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，该制作半导体元件的方法包含：形成多个源极/漏极特征于一基材中，并在一栅极结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡俊雄，陈科维，庄丽雲，王参群，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71