半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；覆盖第一源极/漏极区的顶表面的金属硅化物层；以及穿透金属硅化物层并连接到半导体基板的半导体柱。半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，栅电极在金属硅化物层上，并且栅电极在平面图中围绕半导体柱。接触连接到金属硅化物层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术构思涉及半导体器件，更具体地，涉及具有晶体管的半导体器件。
技术介绍
半导体器件包括具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的集成电路。随着半导体器件的尺寸和设计规则逐渐减小，MOSFET的尺寸也逐渐按比例缩小。MOSFET的按比例缩小可以对半导体器件的操作特性具有负面影响。例如，MOSFET的按比例缩小可能引起短沟道效应。因此，已经开发了各种方法以获得具有优异性能同时克服由半导体器件的集成所致的限制的半导体器件。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式可以提供具有改善的电特性的半导体装置。根据本专利技术构思的示例性实施方式，一种半导体器件可以包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；金属硅化物层，其覆盖第一源极/漏极区的顶表面；半导体柱，其穿透金属硅化物层并连接到半导体基板，半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区；在金属硅化物层上的栅电极，栅电极在平面图中围绕半导体柱；以及连接到金属硅化物层的接触。根据本专利技术构思的示例性实施方式，一种半导体器件可以包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体基板，其包括在所述半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；金属硅化物层，其覆盖所述第一源极/漏极区的顶表面；半导体柱，其穿透所述金属硅化物层并连接到所述半导体基板的所述上部分中的所述第一源极/漏极区，所述半导体柱包括在所述半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区；在所述金属硅化物层上的栅电极，所述栅电极在平面图中围绕所述半导体柱；以及连接到所述金属硅化物层的接触。

【技术特征摘要】
2016.03.21 KR 10-2016-00335201.一种半导体器件，包括：半导体基板，其包括在所述半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；金属硅化物层，其覆盖所述第一源极/漏极区的顶表面；半导体柱，其穿透所述金属硅化物层并连接到所述半导体基板的所述上部分中的所述第一源极/漏极区，所述半导体柱包括在所述半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区；在所述金属硅化物层上的栅电极，所述栅电极在平面图中围绕所述半导体柱；以及连接到所述金属硅化物层的接触。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括围绕所述半导体柱的下侧壁的扩散阻挡图案。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述半导体柱和所述金属硅化物层彼此水平地间隔开，并且所述扩散阻挡图案插置在其之间。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述扩散阻挡图案包括比所述金属硅化物层的底表面更低的底表面。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体柱包括位于所述第一源极/漏极区中的底表面。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极在平面图中交叠所述金属硅化物层。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述金属硅化物在平面图中具有比所述栅电极的面积更大的面积。8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括器件隔离层，所述器件隔离层提供在所述半导体基板上并且限定所述半导体基板的有源区，其中所述第一源极/漏极区在所述有源区中，以及其中所述金属硅化物层覆盖所述有源区的顶表面。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体柱包括在所述半导体柱的下部分中的子杂质区，其中所述子杂质区包括具有与所述第一源极/漏极区相同的导电性的杂质，以及其中所述子杂质区包括比所述第一源极/漏极区的顶表面更高的顶表面。10.一种半导体器件，包括：半导体基板，其包括在所述半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区，所述第一源极/漏极区具有第一导电性；连接到所述半导体基板的半导体柱；以及在所述第一源极/漏极区上的栅电极，所述栅电极在平面图中围绕所述半导体柱，其中所述半导体柱包括：在所述半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，所述第二源极/漏极区具有所述第一导电性；在所述半导体柱的下部分中的子杂质区，所述子杂质区具有所述第一导电性；以及在所述第二源极/漏极区和所述子杂质区之间的沟道区，所述沟道区具有不同于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：许然喆，M坎托罗，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR