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本发明的实施例提供了具有最佳应变的源极漏极凹槽轮廓的半导体器件、FinFET器件及其形成方法。一个半导体器件包括衬底、位于衬底上方的栅极堆叠件以及位于衬底的凹槽中和栅极堆叠件旁边的应变层。此外，凹槽的最大宽度处的深度与栅极堆叠件的宽度的比率...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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