氮化镓晶体管的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氮化镓晶体管的制备方法，该方法包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和第一PETEOS氧化层；在沉积第一PETEOS氧化层后形成的图案上制备欧姆接触电极；在制备欧姆接触电极后形成的图案上制备栅极和栅场板；在制备栅极和栅场板后形成的图案上沉积第二PETEOS氧化层；在沉积第二PETEOS氧化层后形成的图案上制备源场板。该方法在器件上制备栅场板的同时制备源场板，能够调整电场分布，降低栅极边缘电场密度，提高器件的耐压性。

【技术实现步骤摘要】
氮化镓晶体管的制备方法
本专利技术实施例涉及半导体器件制备
，尤其涉及一种氮化镓晶体管的制备方法。
技术介绍
随着高效完备的功率转换电路及系统需求的日益增加，具有低功耗和高速特性的功率器件吸引了越来越多的关注。由于氮化镓具有较宽的禁带宽度，高电子饱和漂移速率，较高的击穿场强，良好的热稳定性，耐腐蚀和抗辐射性能，所以氮化镓在高压、高频、高温、大功率和抗辐照环境条件下具有较强的优势。是国际上广泛关注的新型宽禁带化合物半导体材料。而氮化镓晶体管由于铝镓氮/氮化镓异质结处形成高浓度、高迁移率的二维电子气，同时异质结对二维电子气具有良好的调节作用，使其在大功率和高速电子设备等方面有广泛的应用。虽然氮化镓晶体管中铝镓氮/氮化镓异质结对二维电子气具有良好的调节作用，但由于铝镓氮/氮化镓异质结的二维电子气中电子浓度很高，在氮化镓外延基底上只有未掺杂的铝镓氮/氮化镓，使器件的栅极边缘电场密度会很大，容易发生氧化层提前击穿的现象，使器件的耐压性较差。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种氮化镓晶体管的制备方法，该方法在器件上制备栅场板的同时制备源场板，能够调整电场分布，降低栅极边缘电场密度，提高器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在所述铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和第一PETEOS氧化层；在沉积所述第一PETEOS氧化层后形成的图案上制备欧姆接触电极；在制备欧姆接触电极后形成的图案上制备栅极和栅场板；在制备栅极和栅场板后形成的图案上沉积第二PETEOS氧化层；在沉积第二PETEOS氧化层后形成的图案上制备源场板。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在所述铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和第一PETEOS氧化层；在沉积所述第一PETEOS氧化层后形成的图案上制备欧姆接触电极；在制备欧姆接触电极后形成的图案上制备栅极和栅场板；在制备栅极和栅场板后形成的图案上沉积第二PETEOS氧化层；在沉积第二PETEOS氧化层后形成的图案上制备源场板。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在沉积所述第一PETEOS氧化层后形成的图案上制备欧姆接触电极，具体包括：刻蚀左右两侧部分区域的第一PETEOS氧化层，分别形成第一氧化层开孔和第二氧化层开孔，在所述第一氧化层开孔内和所述第二氧化层开孔内分别刻蚀所述氮化硅钝化层，形成第一欧姆接触孔和第二欧姆接触孔；依次采用DHF溶液，SC1溶液和SC2溶液对所述第一欧姆接触孔和所述第二欧姆接触孔下方的铝镓氮势垒层表面进行清洗处理；在所述第一欧姆接触孔内、所述第二欧姆接触孔内、所述第一欧姆接触孔上方、所述第二欧姆接触孔上方及所述第一PETEOS氧化层上方沉积欧姆电极金属层；对所述第一PETEOS氧化层上方的欧姆电极金属层进行光刻，刻蚀，形成第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述第一PETEOS氧化层上方的欧姆电极金属层进行光刻，刻蚀，形成第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极之前，还包括：对沉积欧姆电极金属层后的所述氮化镓晶体管进行退火处理。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为840摄氏度，所述退火处理的时间为20分钟，所述退火处理在氮气氛围中。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一欧姆接触孔内、所述第二欧姆接触孔内、所述第一欧姆接触孔上方、所述第二欧姆接触孔上方及所述第一PETEOS氧化层上方沉积欧姆电极金属层具体包括：在所述第一欧姆接触孔内、所述第二欧姆接触孔内、所述第一欧姆接触孔上方、所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘美华，孙辉，林信南，陈建国，
申请(专利权)人：北京大学，北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11