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一种HEMT，其包括多个第一单个单元和至少一个第二单个单元，第二单个单元具有第一绝缘层，第一绝缘层垂直于衬底前侧地布置并且从衬底前侧延伸至二维电子气中，从而产生具有第一栅极连接端的第一单个晶体管和具有第二栅极连接端的第二单个晶体管，第一单个...
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