一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制造领域，公开了一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，由下至上依次包括：衬底、低温GaAs晶格应变缓冲层、梯度GaAsySb1‑y晶格应变缓冲层、AlGaSb缓冲层、InGaSb沟道层、AlSb隔离层、P型AlGaSb势垒层、分别位于P型AlGaSb势垒层两端侧的第一P型GaSb帽层和第二P型GaSb帽层，还包括形成于第一P型GaSb帽层上的源极和形成于第二P型GaSb帽层上的漏极，以及形成于第一P型GaSb帽层与第二P型GaSb帽层之间且位于P型AlGaSb势垒层上的栅极，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应并降低功耗，克服摩尔定律，打破极限，维持半导体产业等比例缩小进程。

A P type channel mismatch heterostructure field-effect transistor based on silicon substrate

The utility model relates to a semiconductor manufacturing field, discloses a silicon substrate P channel pseudomorphic heterojunction field effect transistor based, followed by the bottom comprises: a substrate, low temperature GaAs buffer layer, GaAsySb1 lattice strain gradient y lattice strain buffer layer and AlGaSb buffer layer, InGaSb layer, AlSb layer isolation trench type P, AlGaSb barrier layer, are located in the P AlGaSb barrier layer at the two ends of the first type P and second type P GaSb cap, GaSb cap, also formed in the first P type GaSb cap layer on the source and formed in second P GaSb cap on the drain, and is formed between the first P type GaSb cap and second P type GaSb cap, and is located in the gate type P AlGaSb barrier layer, effectively improve the transistor scaling in the process of bringing the short channel effect and reduce power consumption, overcome the Moore's law, break the limit, to maintain the semiconductor industry Scaling process.

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管。
技术介绍
根据摩尔定律，“集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。”大抵而言，若在相同面积的晶圆下生产同样规格的IC，随着制程技术的进步，每隔一年半，IC产出量就可增加一倍，换算为成本，即每隔一年半成本可降低五成，平均每年成本可降低三成多。就摩尔定律延伸，IC技术每隔一年半推进一个世代。国际上半导体厂商基本都遵循着该项定律。但是，国际上最大的芯片制造厂商英特尔日前宣布将推迟旗下基于10纳米制造技术的Cannonlake芯片的发布时间，推迟至2017年下半年，而Cannonlake芯片原定的发布日期是2016年。英特尔公司首席执行官BrianKrzanich在电话会议上表示，“由于要用各类相关技术，而每一种技术都有其自身一系列的复杂性和难度，从14纳米到10纳米和从22纳米到14纳米不是一回事。如果想大规模生产，光刻技术会更加困难，而且，完成多样式步骤的数目会不断增加。”英特尔一直以来遵循每两年缩小晶体管面积一半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，由下至上依次包括：衬底、低温GaAs晶格应变缓冲层、梯度GaAsySb1‑y晶格应变缓冲层、AlGaSb缓冲层、InGaSb沟道层、AlSb隔离层、P型AlGaSb势垒层、分别位于P型AlGaSb势垒层两端侧的第一P型GaSb帽层和第二P型GaSb帽层，还包括形成于第一P型GaSb帽层上的源极和形成于第二P型GaSb帽层上的漏极，以及形成于第一P型GaSb帽层与第二P型GaSb帽层之间且位于P型AlGaSb势垒层上的栅极。

【技术特征摘要】
1.一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，由下至上依次包括：衬底、低温GaAs晶格应变缓冲层、梯度GaAsySb1-y晶格应变缓冲层、AlGaSb缓冲层、InGaSb沟道层、AlSb隔离层、P型AlGaSb势垒层、分别位于P型AlGaSb势垒层两端侧的第一P型GaSb帽层和第二P型GaSb帽层，还包括形成于第一P型GaSb帽层上的源极和形成于第二P型GaSb帽层上的漏极，以及形成于第一P型GaSb帽层与第二P型GaSb帽层之间且位于P型AlGaSb势垒层上的栅极。2.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，所述衬底具体为P型衬底，采用Si、SiC、GaN、蓝宝石、金刚石中的任意一种材料。3.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，其特征在于，所述低温GaAs晶格应变缓冲层的厚度为400～800nm。4.根据权利要求1所述的基于硅衬底的P型沟道赝配...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎明，陈汝钦，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51