一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制造领域，公开了一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管，包括由下至上的衬底、低温GaSb/AlSb超晶格缓冲层、AlGaSb缓冲层、GaSb沟道层、AlSb隔离层、AlGaSb势垒层、所述AlGaSb势垒层上一端面的第一梯度InXGa1‑XSb帽层和相对另一端面的第二梯度InXGa1‑XSb帽层，还包括形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层上的源极和第二梯度InXGa1‑XSb帽层上的漏极，形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层和第二梯度InXGa1‑XSb帽层之间且位于AlGaSb势垒层上的栅极，所述AlGaSb势垒层具体为P型掺杂结构，与GaSb沟道层之间形成二维空穴气，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应并降低功耗，克服摩尔定律，打破极限，维持半导体产业等比例缩小进程。

A P type trench field-effect transistor based on silicon substrate

The utility model relates to a semiconductor manufacturing field, discloses a P type transistor silicon n-channel field effect on the bottom of the substrate, comprises a low temperature GaSb/AlS B Ultrasound lattice buffer layer and AlGaSb buffer layer, GaSb channel layer, AlSb layer, AlGaSb isolation barrier layer, the barrier layer on the AlGaSb end of the first gradient InXGa1 XSb cap and the other end of the second relative gradient InXGa1 XSb cap, also formed on the first gradient InXGa1 XSb cap layer on the source and drain of the second InXGa1 XSb cap gradient layer, formed between the first gradient InXGa1 XSb cap layer and a second InXGa1 XSb gradient the cap layer and located at the gate of AlGaSb barrier layer, the barrier layer of AlGaSb specific for P type doping structure, two-dimensional hole gas is formed between the GaSb and the channel layer, bring the short channel effect and effectively improve the transistor scaling process We should reduce power consumption, overcome Moore's law, break the limit, and maintain the shrinking process of the semiconductor industry.

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管。
技术介绍
根据摩尔定律，“集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。”大抵而言，若在相同面积的晶圆下生产同样规格的IC，随着制程技术的进步，每隔一年半，IC产出量就可增加一倍，换算为成本，即每隔一年半成本可降低五成，平均每年成本可降低三成多。就摩尔定律延伸，IC技术每隔一年半推进一个世代。国际上半导体厂商基本都遵循着该项定律。但是，国际上最大的芯片制造厂商英特尔日前宣布将推迟旗下基于10纳米制造技术的Cannonlake芯片的发布时间，推迟至2017年下半年，而Cannonlake芯片原定的发布日期是2016年。英特尔公司首席执行官BrianKrzanich在电话会议上表示，“由于要用各类相关技术，而每一种技术都有其自身一系列的复杂性和难度，从14纳米到10纳米和从22纳米到14纳米不是一回事。如果想大规模生产，光刻技术会更加困难，而且，完成多样式步骤的数目会不断增加。”英特尔一直以来遵循每两年缩小晶体管面积一半的时间表，也就是俗称的“本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管，其特征在于，包括由下至上的衬底、低温GaSb/AlSb超晶格缓冲层、AlGaSb缓冲层、GaSb沟道层、AlSb隔离层、AlGaSb势垒层、所述AlGaSb势垒层上一端面的第一梯度InXGa1‑XSb帽层和相对另一端面的第二梯度InXGa1‑XSb帽层，还包括形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层上的源极和位于第二梯度InXGa1‑XSb帽层上的漏极，形成于第一梯度InXGa1‑XSb帽层和第二梯度InXGa1‑XSb帽层之间且位于AlGaSb势垒层上的栅极，所述AlGaSb势垒层具体为P型掺杂结构，与GaSb沟道层之间形成二维空穴气。

【技术特征摘要】
1.一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管，其特征在于，包括由下至上的衬底、低温GaSb/AlSb超晶格缓冲层、AlGaSb缓冲层、GaSb沟道层、AlSb隔离层、AlGaSb势垒层、所述AlGaSb势垒层上一端面的第一梯度InXGa1-XSb帽层和相对另一端面的第二梯度InXGa1-XSb帽层，还包括形成于第一梯度InXGa1-XSb帽层上的源极和位于第二梯度InXGa1-XSb帽层上的漏极，形成于第一梯度InXGa1-XSb帽层和第二梯度InXGa1-XSb帽层之间且位于AlGaSb势垒层上的栅极，所述AlGaSb势垒层具体为P型掺杂结构，与GaSb沟道层之间形成二维空穴气。2.根据权利要求1所述的基于硅衬底P型沟道场效应晶体管，其特征在于，所述衬底具体为P型衬底，采用Si、SiC、GaN、蓝宝石、金刚石中的任意一种材料。3.根据权利要求1所述的基于硅衬底P型沟道场效应晶体管，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎明，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51