一种系统GaAs HBT器件外延结构技术方案

本实用新型专利技术涉及半导体制造领域，公开了一种系统GaAs HBT器件外延结构，由下至上依次包括：GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P集电区层、空间隔离层、P‑GaAs基区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N‑GaAs发射区层、N

A system GaAs HBT device epitaxial structure

The utility model relates to a semiconductor manufacturing field, discloses a system GaAs HBT epitaxial structure, followed by the bottom substrate, including: GaAs N GaAs collector layer, N AlxGa0.52 xIn0.48P collector layer, spatial isolation layer, P layer, GaAs base N AlxGa0.52 xIn0.48P launch in N layer, N layer, GaAs emitter

【技术实现步骤摘要】
一种系统GaAsHBT器件外延结构
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种系统GaAsHBT器件外延结构。
技术介绍
进入二十一世纪以来，社会迈入了超高速发展的信息时代，全球数据业务呈现爆炸式增长，射频通信技术尤其是GaAsHBT技术取得了长足的进步和广泛地应用。目前GaAsHBT在手机/基站中已成为标准射频器件而得到普遍应用。与传统的AlGaAs/GaAs，InGaP/GaAs异质结相比，AlxGa0.52-xIn0.48P/GaAs具有以下特点：1、AlxGa0.52-xIn0.48P/GaAs的价带能带差可以比InGaP/GaAs更大，电子注入效率更高，随着Al的摩尔含量增大，AlxGa0.52-xIn0.48P/GaAs的禁带宽度可以从1.9eV增大到2.32eV，使得HBT器件可以得到更高的方向击穿电压和功率，大的价带不连续也有利于提高AlxGa0.52-xIn0.48PHBT器件的高温工作特性。2、AlxGa0.52-xIn0.48P/GaAs在实际制作工艺中，腐蚀选择比与InGaP/GaAs类似，工艺更易实现。事实上，目前广泛采用的GaAsHBT多为单异质结结构(SHB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种系统GaAs HBT器件外延结构，其特征在于，由下至上依次包括：GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P集电区层、空间隔离层、P‑GaAs基区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P发射区层、N‑GaAs发射区层、N

【技术特征摘要】
1.一种系统GaAsHBT器件外延结构，其特征在于，由下至上依次包括：GaAs衬底、N-GaAs集电区层、N-AlxGa0.52-xIn0.48P集电区层、空间隔离层、P-GaAs基区层、N-AlxGa0.52-xIn0.48P发射区层、N-GaAs发射区层、N+-InZGa1-ZAs帽层，由N-AlxGa0.52-xIn0.48P集电区层和P-GaAs基区层形成的第一异质结结构中间插入有空间隔离层，由P-GaAs基区层和N-AlxGa0.52-xIn0.48P发射区层形成第二异质结结构。2.根据权利要求1所述的系统GaAsHBT器件外延结构，其特征在于，所述GaAs衬底具体采用Si、SiC、GaN、蓝宝石、金刚石中的任意一种。3.根据权利要求1所述的系统GaAsHBT器件外延结构，其特征在于，所述N-GaAs集电区的掺杂浓度为不小于5×1017cm-3，厚度为0.2μm～3μm。4.根据权利要求1所述的系统GaAsHBT器件外延结构，其特征在于，所述N-AlxGa0.52-xIn0.48P...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一峰，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51