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本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种系统GaAs HBT器件外延结构，由下至上依次包括：GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑AlxGa0.52‑xIn0.48P集电区层、空间隔离层、P‑GaAs基区层、N‑AlxGa0.52‑xIn...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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