一种GaAs HBT功率器件制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种GaAsHBT功率器件
本专利技术涉及GaAsHBT微波功率器件
，尤其涉及一种GaAsHBT功率器件。
技术介绍
GaAsHBT(砷化镓异质结双极晶体管)具有高效率、高功率密度、高线性度和单电源工作等优点，广泛应用于无线通讯、雷达和电子战系统等高频应用领域。为提高输出功率，功率管通常采取多指并联拓扑结构，随着并联晶体管数目的增加，由于GaAs的热阻较高，各指之间相互热耦合增强，使得中间指的温度高于边缘指的温度，并且由于其温度不断积聚，形成一个热电正反馈，最终导致如图1所示的电流增益崩塌现象。电流增益崩塌严重影响了功率器件的输出功率、效率以及线性等性能，因此抑制电流增益崩塌成为GaAsHBT功率器件设计中的研究热点。目前抑制HBT电流崩塌的方法主要有两种：一种是添加镇流电阻，包括发射极镇流电阻和基极镇流电阻；另一种是降低器件的热阻，包括减薄背孔工艺。发射极和基极镇流电阻能够有效抑制电流增益崩塌，但是不能够降低结温，同时带来额外的功耗，造成效率降低，器件面积增大；减薄衬底可以降低器件热阻，背面通孔为发射极热量提供到背面热沉的连接。如图2所示为传统的GaAs...
【技术保护点】
一种GaAs HBT功率器件，其特征在于，所述GaAs HBT功率器件包括多个并联的HBT晶体管，所述GaAs HBT功率器件的衬底隔离区开设有背孔，所述GaAs HBT功率器件的衬底有源区在所述HBT晶体管的背面位置开设有背孔，所述HBT晶体管的发射极通过布线金属与衬底隔离区的背孔金属相连。
【技术特征摘要】
1.一种GaAsHBT功率器件，其特征在于，所述GaAsHBT功率器件包括多个并联的HBT晶体管，所述GaAsHBT功率器件的衬底隔离区开设有背孔，所述GaAsHBT功率器件的衬底有源区在所述HBT晶体管的背面位置开设有背孔，所述HBT晶体管的发射极通过布线金属与衬底隔离区的背孔金属相连。2.根据权利要求1所述的GaAsHBT功率器件，其特征在于，所述衬底有源区的背孔孔径小于所述衬...
【专利技术属性】
技术研发人员：周佳辉，郭嘉帅，钱永学，孟浩，
申请(专利权)人：上海翰微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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