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本发明提供一种GaAs HBT功率器件，所述GaAs HBT功率器件包括多个并联的HBT晶体管，所述GaAs HBT功率器件的衬底隔离区开设有背孔，所述GaAs HBT功率器件的衬底有源区在所述HBT晶体管的背面位置开设有背孔，所述HBT晶...
该专利属于上海翰微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海翰微电子技术有限公司授权不得商用。

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