一种GaAs HBT器件结构制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制造领域，公开了一种GaAs HBT器件结构，由下至上依次包括：GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑InGaP集电区层、空间隔离层、P‑GaAs基区层、N‑InGaP发射区层、N‑GaAs发射区层、N

A GaAs HBT device structure

The utility model relates to a semiconductor manufacturing field, discloses a GaAs HBT device structure, followed by the bottom substrate, including: GaAs N GaAs collector layer, N layer, InGaP collector P GaAs space isolation layer, base layer, N layer, InGaP emitter N GaAs emitter layer, N

【技术实现步骤摘要】
一种GaAsHBT器件结构
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种GaAsHBT器件结构。
技术介绍
进入二十一世纪以来，社会迈入了超高速发展的信息时代，全球数据业务呈现爆炸式增长，射频通信技术尤其是GaAsHBT技术取得了长足的进步和广泛地应用。目前GaAsHBT在手机/基站中已成为标准射频器件而得到普遍应用。与传统的AlGaAs/GaAs异质结相比，InGaP/GaAs具有以下优点：1、InGaP/GaAs的价带能带差比AlGaAs/GaAs更大，电子注入效率更高；2、InGaP/GaAs在实际制作工艺中，腐蚀选择比更大，InGaP甚至可以作为GaAs的腐蚀截止层，工艺更易实现；3、InGaP生长与AlGaAs相比，质量更高，性质更稳定，AlGaAs由于有Al的加入，在生长过程中极易氧化，且较容易产生深能阶复合中心，严重影响HBT器件性能。事实上，目前广泛采用的GaAsHBT多为单异质结结构(SHBT)，即在发射极和基极(E-B)之间采用InGaP/GaAs异质结，但SHBT结构，由于E-B异质结与B-C(基极-集电极)同质结之间的内建电场大小差异，导致在SHBT直流输出特性中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaAs HBT器件结构，其特征在于，由下至上依次包括：GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑InGaP集电区层、空间隔离层、P‑GaAs基区层、N‑InGaP发射区层、N‑GaAs发射区层、N

【技术特征摘要】
1.一种GaAsHBT器件结构，其特征在于，由下至上依次包括：GaAs衬底、N-GaAs集电区层、N-InGaP集电区层、空间隔离层、P-GaAs基区层、N-InGaP发射区层、N-GaAs发射区层、N+-InZGa1-ZAs帽层，由N-InGaP集电区层和P-GaAs基区层形成的第一异质结结构中间插入有空间隔离层，由P-GaAs基区层和N-InGaP发射区层形成第二异质结结构。2.根据权利要求1所述的GaAsHBT器件结构，其特征在于，所述GaAs衬底具体采用Si、SiC、GaN、蓝宝石、金刚石中的任意一种。3.根据权利要求1所述的GaAsHBT器件结构，其特征在于，所述N-GaAs集电区层的掺杂浓度为不小于5×1017cm-3，厚度为0.2μm～3μm。4.根据权利要求1所述的GaAsHBT器件结构，其特征在于，所述N-InGaP集电区层的掺杂浓度为不小于1×1017cm-3...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈一峰，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51