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本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种GaAs HBT器件结构，由下至上依次包括：GaAs衬底、N‑GaAs集电区层、N‑InGaP集电区层、空间隔离层、P‑GaAs基区层、N‑InGaP发射区层、N‑GaAs发射区层、N...
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