一种辐射制冷薄膜及其制备方法技术

技术编号:41506443 阅读:93 留言:0更新日期:2024-05-30 14:46
本发明专利技术公开一种辐射制冷薄膜及其制备方法,所述辐射制冷薄膜包括:第一聚合物层,第一聚合物层中分散有纳米颗粒,第一聚合物层包括基底层以及位于基底层上的微米金字塔阵列;第二聚合物层,至少设置在微米金字塔阵列中的微米金字塔表面上;第一聚合物层中的第一聚合物包括聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯中的至少一种,纳米颗粒包括二氧化钛纳米颗粒、氧化铝纳米颗粒、二氧化硅纳米颗粒、聚偏氟乙烯纳米颗粒中的至少一种;第二聚合物层为聚偏氟乙烯层。该辐射制冷薄膜在太阳波段具有较强的反射,在大气窗口内具有较强的发射,从而实现日间辐射制冷,该辐射制冷薄膜可以附着在建筑物上,赋予建筑物良好的辐射制冷性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及辐射制冷材料,尤其涉及一种辐射制冷薄膜及其制备方法


技术介绍

1、辐射冷却指因被动冷辐射方法,通过有效地将太阳光反射,并在大气红外窗口范围内通过热辐射将热量传递到低温宇宙,与外太空进行热交换,使得建筑物内部的温度降低。由于辐射制冷属于被动冷却范畴,不涉及能耗,有利于实现可持续的低碳生活方式,减轻温室效应的负面影响。然而受限于精细结构设计和调控,当前辐射制冷薄膜的辐射制冷性能还有待于进一步提升,辐射制冷技术有待于发展。


技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种辐射制冷薄膜及其制备方法,旨在解决现有辐射制冷薄膜的辐射制冷性能还有待于进一步提升的问题。

2、本专利技术的技术方案如下:

3、本专利技术的第一方面,提供一种辐射制冷薄膜,其中,所述辐射制冷薄膜包括:

4、第一聚合物层,所述第一聚合物层中分散有纳米颗粒,所述第一聚合物层包括基底层以及位于所述基底层上的微米金字塔阵列;

5、第二聚合物层,至少设置在所述微米金字塔阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种辐射制冷薄膜,其特征在于,所述辐射制冷薄膜包括:

2.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜,其特征在于,所述第一聚合物层中,所述第一聚合物与所述纳米颗粒的质量比为(1-22.5):1.2。

3.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜,其特征在于,所述纳米颗粒的粒径为10-1000nm。

4.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜,其特征在于,所述辐射制冷薄膜的厚度为100-2000μm。

5.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜,其特征在于,所述微米金字塔阵列的高度为5-20μm;所述微米金字塔阵列中,每个微米金字塔底部均为边长为10-40μm的正方形...

【技术特征摘要】

1.一种辐射制冷薄膜,其特征在于,所述辐射制冷薄膜包括:

2.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜,其特征在于,所述第一聚合物层中,所述第一聚合物与所述纳米颗粒的质量比为(1-22.5):1.2。

3.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜,其特征在于,所述纳米颗粒的粒径为10-1000nm。

4.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜,其特征在于,所述辐射制冷薄膜的厚度为100-2000μm。

5.根据权利要求1所述的辐射制冷薄膜,其特征在于,所述微米金字塔阵列的高度为5-20μm;所述微米金字塔阵列中,每个微米金字塔底部均为边长为10-40μm的正方形,相邻微米金字塔底部的距离...

【专利技术属性】
技术研发人员:何振潘乾灏俞书宏
申请(专利权)人:南方科技大学
类型:发明
国别省市:

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