半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术揭示了一种半导体结构的制造方法。所述制造方法包括提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层；在所述第一介质层上形成内核层，所述内核层包括多个条状结构及一连接结构，相邻的多个条状结构通过所述连接结构相连接形成第一切断区；在所述第一介质层上内核层两侧形成第二介质层，所述第二介质层呈折线状，所述第二介质层围绕所述第一切断区处形成第二切断区；去除所述内核层；在所述第二切断区上形成掩膜层；以所述掩膜层和第二介质层为掩膜，刻蚀所述第一介质层形成沟槽，暴露出衬底；去除所述掩膜层和第二介质层，在第一介质层中形成最终切断区；在所述沟槽中形成金属层。掩膜层在形成时可以有着更大的OVL和CD允许范围，提高了产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
光刻技术是制造集成电路产品时所使用的一种基本工艺。高阶光刻技术包括：(1)在衬底上形成光或辐射敏感材料(如光阻)；(2)选择性曝光(如DUV或EUV光源)该辐射敏感材料以经由掩膜版以转移所定义的图像至该辐射敏感材料；以及(3)显影该辐射敏感材料的露出层。之后可以继续进行例如刻蚀、离子注入等其他工艺。当然，集成电路制造的最终目标是要在集成电路产品上如实地再现原始电路设计。从历史上来看，集成电路产品中使用的特征尺寸和间距使使用单一图像光阻层来形成所需求的图像成为可能。然而，近几年来，随着产品的尺寸和间距被缩减，现有的光刻设备，如193nm波长的光刻设备，已无法形成具有所有整体目标图像特征的单一图案化的光阻层。因此，业界开发了包括执行多重曝光以定义单一目标图像的技术。一种这样的技术被称为多重图像化，例如双重自对准图像化(SADP)。图1A至图1D示出了现有技术中的利用SADP进行集成电路产品制造的示意图。参考图1A，在衬底1上形成阻挡层2，并在阻挡层2上形成过渡层3；接着，参考图1B和图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层；在所述第一介质层上形成内核层，所述内核层包括多个条状结构及一连接结构，部分相邻的多个条状结构通过所述连接结构相连接形成第一切断区；在所述第一介质层上内核层两侧形成第二介质层，所述第二介质层呈折线状，所述第二介质层围绕所述第一切断区处形成第二切断区；去除所述内核层；在所述第二切断区上形成掩膜层；以所述掩膜层和第二介质层为掩膜，刻蚀所述第一介质层形成沟槽，暴露出衬底；去除所述掩膜层和第二介质层，在第一介质层中形成最终切断区；在所述沟槽中形成金属层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层；在所述第一介质层上形成内核层，所述内核层包括多个条状结构及一连接结构，部分相邻的多个条状结构通过所述连接结构相连接形成第一切断区；在所述第一介质层上内核层两侧形成第二介质层，所述第二介质层呈折线状，所述第二介质层围绕所述第一切断区处形成第二切断区；去除所述内核层；在所述第二切断区上形成掩膜层；以所述掩膜层和第二介质层为掩膜，刻蚀所述第一介质层形成沟槽，暴露出衬底；去除所述掩膜层和第二介质层，在第一介质层中形成最终切断区；在所述沟槽中形成金属层。2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述条状结构沿第一方向分布，所述连接结构沿第二方向分布，所述第一方向与第二方向垂直。3.如权利要求1或2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光阻。4.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述掩膜层的形状为方形，所述掩膜层的平行所述第一方向的边界处于第二切断区中...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋长庚，曹恒，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31