温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明揭示了一种半导体结构的制造方法。所述制造方法包括提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层；在所述第一介质层上形成内核层，所述内核层包括多个条状结构及一连接结构，相邻的多个条状结构通过所述连接结构相连接形成第一切断区；在所述第一介质层上内核...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。