The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor package structure, with a convex block structure comprising: providing a silicon wafer, which has positive and opposite the back; a through hole is formed, a positive contact point, the front electrode and back electrode, positive contact point through the through hole and the positive electrode contact to form a column; the convex shaped copper block, located in the front electrode and back electrode, the projection of the columnar copper bump on the back of a size smaller than the front electrode and back electrode, and the columnar copper bump has the same height; attached adhesive film on the copper column bump, covers the whole columnar copper bump; packaging glue is filled between the adhesive and the back and cured to form a transparent plastic package, the transparent packaging glue coating of the cylindrical copper bump; removing the adhesive film.
【技术实现步骤摘要】
一种制造具有凸块结构的半导体封装结构的方法
本专利技术涉及具有凸块结构的半导体封装结构制造方法,具体涉及一种具有凸柱的全背光伏封装结构的制作工艺。
技术介绍
当今,世界范围内气候环境恶劣变化、化石能源十分紧缺,加快新能源尤其是太阳能发电事业的发展成为全球重要课题之一。光伏发电系统组成中最重要、最核心的设备是太阳能光伏组件,光伏组件的转换效率、使用寿命、衰减率等直接关系着光伏发电系统的发电效率、发电寿命,进而影响运营商的经济效益。现有的全背太阳能电池的结构如图1所示,其包括硅片1,其包括PN结作为发电单元;正面接触点2;正面电极3;背面电极4;通孔6,正面接触点2通过通孔6与所述正面电极3电接触;透明封装胶5,覆盖所述硅片1的上下表面,以保护硅片和正面接触点2、正面电极3、背面电极4。然而,该种封装结构具有以下缺陷,正面电极3和背面电极4比较薄,在后续(未形成透明封装胶5之前)形成栅线时,会由于电镀、刻蚀等工艺破坏电极点的完整性,而不利于太阳能电池发电长期使用的可靠性。
技术实现思路
基于解决上述问题,本专利技术提供了一种制造具有凸块结构的半导体封装结构(及光伏电池)的方法,包括:提供一硅片,其具有正面和和与正面相对的背面;形成通孔、正面接触点、正面电极、背面电极,正面接触点通过通孔与所述正面电极电接触;形成柱状铜凸块,位于所述正面电极和背面电极上,所述柱状铜凸块在所述背面的投影的尺寸小于所述正面电极和背面电极的尺寸,并且所述柱状铜凸块具有相同的高度;在所述柱状铜凸块上贴附粘结膜,盖住全部的柱状铜凸块;在粘结膜和所述背面之间填充封装胶并固化形成透明封装胶,所述透 ...
【技术保护点】
一种制造具有凸块结构的半导体封装结构的方法,包括:提供一硅片,其具有正面和和与正面相对的背面;形成通孔、正面接触点、正面电极、背面电极,正面接触点通过通孔与所述正面电极电接触;形成柱状铜凸块,位于所述正面电极和背面电极上,所述柱状铜凸块在所述背面的投影的尺寸小于所述正面电极和背面电极的尺寸,并且所述柱状铜凸块具有相同的高度;在所述柱状铜凸块上贴附粘结膜,盖住全部的柱状铜凸块;在粘结膜和所述背面之间填充封装胶并固化形成透明封装胶,所述透明封装胶包覆所述柱状铜凸块;移除所述粘结膜。
【技术特征摘要】
1.一种制造具有凸块结构的半导体封装结构的方法,包括:提供一硅片,其具有正面和和与正面相对的背面;形成通孔、正面接触点、正面电极、背面电极,正面接触点通过通孔与所述正面电极电接触;形成柱状铜凸块,位于所述正面电极和背面电极上,所述柱状铜凸块在所述背面的投影的尺寸小于所述正面电极和背面电极的尺寸,并且所述柱状铜凸块具有相同的高度;在所述柱状铜凸块上贴附粘结膜,盖住全部的柱状铜凸块;在粘结膜和所述背面之间填充封装胶并固化形成透明封装胶,所述透明封装胶包覆所述柱状铜凸块;移除所述粘结膜。2.根据权利要求1所述的制造具有凸块结构的半导体封装结构的方法,其特征在于:还包括在所述背面形成的环绕于所述柱状铜凸...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑剑华,苏建国,沈艳梅,
申请(专利权)人:南通华隆微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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