The embodiment of the invention provides a mask device, a evaporation device and a mask device preparation method, relating to the field of evaporation technology, which is used to improve the bad fit between the mask plate and the evaporating substrate, and improve the evaporation effect. The mask device comprises a mask of ferromagnetic material, the mask includes at least one evaporation region and at least one non evaporation region; the evaporation area is provided with a through hole deposition; the non evaporation area includes the vapor transition region of adjacent area of plating and the transition region is provided with a transition hole, the transition pore volume is smaller than the deposition hole volume, and from the evaporation area to the non evaporation region along the direction of the transition pore volume decreased gradually. The mask device is suitable for the evaporation equipment.
【技术实现步骤摘要】
掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法
本专利技术涉及蒸镀
,尤其涉及一种掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法。
技术介绍
人的感觉器官中接受信息最多的是视觉器官(眼睛),在生产和生活中,人们需要越来越多地利用丰富的视觉信息,因而显示技术在当今人类社会中扮演着非常重要的角色。显示技术自出现至今,技术发展也非常迅猛,随着社会的发展和人类对物质生活需求的不断提高,当今显示技术正在朝着高对比度、高分辨力、全彩色显示、低功耗、可靠性高、长寿命以及薄而轻的方向快速迈进。其中,有机发光二极管(OLED)显示由于具有自发光、响应速度快、视角宽、高清晰、高亮度、抗弯曲能力强、低功耗等优点,逐渐成为LCD显示面板强有力的竞争对手,被誉为下一代梦幻显示技术。真空蒸镀技术作为目前OLED面板制备的一种主要工艺制程,如何改善掩膜版与待蒸镀基板之间的贴合不良,提高蒸镀效果,是业内当前面临的主要技术难题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法,用于改善掩膜版与待蒸镀基板之间的贴合不良,提高蒸镀效果。第一方面,本专利技术提供一种掩膜装置,所述掩膜装置 ...
【技术保护点】
一种掩膜装置,其特征在于,所述掩膜装置包括铁磁性材料的掩膜版,所述掩膜版包括:至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域;所述蒸镀区域设置有沉积通孔;所述非蒸镀区域包括与所述蒸镀区域相邻的过渡区域,所述过渡区域设置有过渡孔,所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积,且从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述过渡孔的体积逐渐减小。
【技术特征摘要】
1.一种掩膜装置,其特征在于,所述掩膜装置包括铁磁性材料的掩膜版,所述掩膜版包括:至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域;所述蒸镀区域设置有沉积通孔;所述非蒸镀区域包括与所述蒸镀区域相邻的过渡区域,所述过渡区域设置有过渡孔,所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积,且从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述过渡孔的体积逐渐减小。2.根据权利要求1所述的掩膜装置,其特征在于,所述蒸镀区域的掩膜版的厚度为a,所述非蒸镀区域的掩膜版的厚度为b,其中,a≥b。3.根据权利要求1所述的掩膜装置,其特征在于,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述过渡区域包括依次设置的第一过渡区域和第二过渡区域,所述过渡孔包括第一过渡孔和第二过渡孔,所述第一过渡孔位于所述掩膜版的第一侧,所述第二过渡孔位于所述掩膜版的第二侧,所述第一侧和所述第二侧相对,所述第一过渡区域内,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡孔的体积不变,所述第二过渡孔的体积逐渐减小;所述第二过渡区域内不设置有所述第二过渡孔,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡孔的体积逐渐减小。4.根据权利要求3所述的掩膜装置,其特征在于,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡区域依次包括第一子过渡区域和第二子过渡区域,在所述第一子过渡区域内,所述第一过渡孔和所述第二过渡孔相互贯通;在所述第二子过渡区域内,所述第一过渡孔和所述第二过渡孔不贯通,并且,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第二过渡孔在垂直于所述掩膜版所在平面的方向上的深度逐渐减小。5.根据权利要求1所述的掩膜装置,其特征在于,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述过渡区域包括依次设置的第一过渡区域和第二过渡区域,所述过渡孔包括第一过渡孔和第二过渡孔,所述第一过渡孔位于所述掩膜版的第一侧,所述第二过渡孔位于所述掩膜版的第二侧,所述第一侧和所述第二侧相对,所述第一过渡区域内,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡孔的体积逐渐减小,所述第二过渡孔的体积不变;所述第二过渡区域内不设置有所述第一过渡孔,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第二过渡孔的体积逐渐减小。6.根据权利要求5所述的掩膜装置,其特征在于从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡区域依次包括第一子过渡区域和第二子过渡区域,在所述第一子过渡区域内,所述第一过渡孔和所述第二过渡孔相互贯通;在所述第二子过渡区域内,所述第一过渡孔和所述第二过渡孔不贯通,并且,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡孔在垂直于所述掩膜版所在平面的方向上的深度逐渐减小。7.根据权利要求1所述的掩膜装置,其特征在于,所述过渡孔包括第一过渡孔和第二过渡孔,所述第一过渡孔位于所述掩膜版的第一侧,所述第二过渡孔位于所述掩膜版的第二侧,所述第一侧和所述第二侧相对,在所述过渡区域内,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡孔和所述第二过渡孔的体积同时逐渐减小。8.根据权利要求7所述的掩膜装置,其特征在于,所述过渡区域包括第一过渡区域和第二过渡区域,在所述第一过渡区域内,所述第一过渡孔和所述第二过渡孔相互贯通;在所述第二过渡区域内,从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上,所述第一过渡孔在垂直于所述掩膜版所在平面的方向上的深度逐渐减小,所述第二过渡孔在垂直于所述掩膜版所在平面的方向上的深度逐渐减小。9.根据权利要求3~8任一项所述的掩膜装置,其特征在于,从所述第一侧至所述第二侧的方向上,所述第一过渡孔和所述第二过渡孔的截面均为梯形、半椭圆形或者矩形,所述第一过渡孔靠近所述第一侧的开口在所述掩膜版所在平面的正投影,覆盖所述第一过渡孔远离所述第一侧的开口在所述掩膜版所在平面的正投影,所述第二过渡孔靠近所述第二侧的开口在所述掩膜版所在平面的正投影,覆盖所述第二过渡孔远离所述第二侧的开口...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐健,刘耀阳,
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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