集成电路以及形成集成电路的方法技术

本公开涉及一种集成电路(IC)及其形成方法，其包括HKMG混合非易失性存储器(NVM)器件，其提供了小尺寸和高性能。在一些实施例中，集成电路包括存储区，存储区包括具有通过相应的浮置栅极与衬底隔开的一对控制栅电极的NVM器件。一对选择栅电极设置在一对控制栅电极的相对侧处并且包括多晶硅。逻辑区邻近存储区设置并且具有逻辑器件，逻辑器件具有金属栅电极，金属栅电极设置在逻辑栅极电介质上方并且具有由高k栅极介电层所覆盖的底部表面和侧壁表面。

Integrated circuits and methods for forming integrated circuits

The present disclosure relates to an integrated circuit (IC) and its forming method, which includes a HKMG hybrid nonvolatile memory (NVM) device, which provides small size and high performance. In some embodiments, the integrated circuit includes a storage area, and the storage area includes a NVM device with a pair of control gate electrodes separated from the substrate by the corresponding floating gate. A pair of selected gate electrodes is set at the opposite side of a pair of control gate electrodes and includes polysilicon. The logic area is adjacent to the storage area and has logic devices. The logic device has metal gate electrode, the metal gate electrode is arranged above the logic gate dielectric, and has the bottom surface and the side wall surface covered by the high k gate dielectric layer.

【技术实现步骤摘要】
集成电路以及形成集成电路的方法
本专利技术的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及集成电路以及形成集成电路的方法。
技术介绍
嵌入式存储器是一种用于半导体工业以提高集成电路(IC)性能的技术。嵌入式存储器是非独立存储器，其与逻辑内核集成在同一芯片上并支持该逻辑内核实现预期功能。高性能的嵌入式存储器具有高速和广泛的总线宽度能力，这可限制或消除芯片间通信。
技术实现思路
根据本专利技术的实施例，提供了一种集成电路(IC)，包括：存储区，存储区包括具有通过相应的浮置栅极与衬底隔开的一对控制栅电极的非易失性存储器(NVM)器件，其中，一对选择栅电极设置在一对控制栅电极的相对侧处并且包括多晶硅；以及逻辑区，逻辑区邻近存储区设置并且包括逻辑器件，逻辑器件包括金属栅电极，金属栅电极设置在逻辑栅极电介质上方并且具有由高k栅极介电层所覆盖的底部表面和侧壁表面。根据本专利技术的实施例，提供了一种形成集成电路(IC)的方法，包括：提供包括存储区和逻辑区的衬底；形成并图案化浮置栅极层和控制栅极层，以在存储区内形成包括控制栅电极和浮置栅极的一对存储栅极堆叠件并在逻辑区内形成牺牲逻辑栅极堆叠件；以及将牺牲逻辑栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路(IC)，包括：存储区，所述存储区包括具有通过相应的浮置栅极与衬底隔开的一对控制栅电极的非易失性存储器(NVM)器件，其中，一对选择栅电极设置在所述一对控制栅电极的相对侧处并且包括多晶硅；以及逻辑区，所述逻辑区邻近所述存储区设置并且包括逻辑器件，所述逻辑器件包括金属栅电极，所述金属栅电极设置在逻辑栅极电介质上方并且具有由高k栅极介电层所覆盖的底部表面和侧壁表面。

【技术特征摘要】
2016.05.24 US 15/162,7611.一种集成电路(IC)，包括：存储区，所述存储区包括具有通过相应的浮置栅极与衬底隔开的一对控制栅电极的非易失性存储器(NVM)器件，其中，一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟成，张健宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71