闪存的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种闪存的制备方法，包括在衬底上形成第一介质层、浮栅层和第二介质层，再刻蚀所述闪存区的第二介质层、浮栅层和第一介质层形成一开口，在开口的内壁形成隔离侧墙，再沉积源极多晶硅层覆盖第二介质层并填充开口，研磨直至暴露出第二介质层后，不再进行过研磨，而是使用光罩作为掩模，去除逻辑区的源极多晶硅残留，光罩保护着闪存区，所以刻蚀逻辑区的源极多晶硅层时不会对闪存区开口边缘的侧墙造成损伤，从而既减少了逻辑区的源极多晶硅残留，又不会对闪存区造成影响，保证了器件的性能和良率；并且，光罩是在闪存制备的后续工艺中使用的，使用光罩作为掩模，不额外增加工序和成本。

Method for preparing flash memory

The invention provides a preparation method of a flash memory, includes forming a first dielectric layer, a floating gate layer and the second dielectric layer on the substrate, and etching the second dielectric layer, flash area of the floating gate layer and the first dielectric layer forms an opening formed in isolated side wall of the inner wall of the opening, and sedimentary source a polysilicon layer covering the second dielectric layer and fill the opening and grinding until exposed on the second dielectric layer, no ground, but the use of the mask as a mask, remove the logic area source mask to protect the polysilicon residue, flash memory area, so no logic source area etching a polysilicon layer on the edge of the opening of the flash zone the side wall damage, which not only reduces the logic area source polysilicon residue, and will not affect the memory area, ensure the device performance and yield; and the mask is in the flash memory prepared after In addition, mask is used as mask in process, without additional process and cost.

【技术实现步骤摘要】
闪存的制备方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种闪存的制备方法。
技术介绍
闪存(FlashMemory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。现有的闪存通常包括闪存区和逻辑区，制造闪存时，通常在半导体衬底上依次沉积氧化硅层、浮栅层及氮化硅层，然后刻蚀闪存区的氧化硅层、浮栅层及氮化硅层以形成一开口，所述开口两侧具有侧墙，所述侧墙之间填充有源多晶硅(SourcePoly)。利用现有技术制造出的闪存的开口边缘的侧墙有损伤，导致器件的性能下降，可靠性和良率降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种闪存的制备方法，在对器件闪存区开口边缘的侧墙无损伤的情况下减少逻辑区源极多晶硅残留。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种闪存的制备方法，所述闪存的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底包括闪存区和逻辑区，所述衬底上依次形成有第一介质层、浮栅层和第二介质层；刻蚀所述闪存区的所述第二介质层、所述浮栅层和所述第一介质层，形成一开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的制备方法，其特征在于，所述闪存的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底包括闪存区和逻辑区，所述衬底上依次形成有第一介质层、浮栅层和第二介质层；刻蚀所述闪存区的所述第二介质层、所述浮栅层和所述第一介质层，形成一开口，暴露出衬底；在所述开口的内壁形成侧墙；形成源极多晶硅层，所述源极多晶硅层覆盖所述第二介质层并填充所述开口；对所述源极多晶硅层进行研磨，直至刚好露出所述第二介质层；以光罩为掩模，去除所述逻辑区的源极多晶硅残留。

【技术特征摘要】
1.一种闪存的制备方法，其特征在于，所述闪存的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底包括闪存区和逻辑区，所述衬底上依次形成有第一介质层、浮栅层和第二介质层；刻蚀所述闪存区的所述第二介质层、所述浮栅层和所述第一介质层，形成一开口，暴露出衬底；在所述开口的内壁形成侧墙；形成源极多晶硅层，所述源极多晶硅层覆盖所述第二介质层并填充所述开口；对所述源极多晶硅层进行研磨，直至刚好露出所述第二介质层；以光罩为掩模，去除所述逻辑区的源极多晶硅残留。2.如权利要求1所述的闪存的制备方法，其特征在于，所述光罩覆盖所述闪存区，暴露出所述逻辑区。3.如权利要求1所述的闪存的制备方法，其特征在于，通过干法刻蚀去除所述逻辑区的全部源极多晶硅残留。4.如权利要求1所述的闪存的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括氧化硅、氮氧化硅和碳氧化硅中的一种或多种。5.如权利要求1所述的闪存的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度为80埃-110埃。6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏代龙，曹子贵，汤志林，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31