温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种闪存的制备方法，包括在衬底上形成第一介质层、浮栅层和第二介质层，再刻蚀所述闪存区的第二介质层、浮栅层和第一介质层形成一开口，在开口的内壁形成隔离侧墙，再沉积源极多晶硅层覆盖第二介质层并填充开口，研磨直至暴露出第二介质层后，不...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。