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本公开涉及一种集成电路(IC)及其形成方法，其包括HKMG混合非易失性存储器(NVM)器件，其提供了小尺寸和高性能。在一些实施例中，集成电路包括存储区，存储区包括具有通过相应的浮置栅极与衬底隔开的一对控制栅电极的NVM器件。一对选择栅电极设...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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