晶体管、薄膜晶体管基板以及液晶显示装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体管、薄膜晶体管基板以及液晶显示装置
本技术涉及晶体管、薄膜晶体管基板以及液晶显示装置，特别涉及薄膜晶体管、具备该薄膜晶体管的薄膜晶体管基板以及液晶显示装置。
技术介绍
作为以往的一般的薄型面板之一的液晶显示装置(liquidcrystaldisplay、即LCD)利用低功耗或者小型轻量等优点，被广泛用于个人计算机或者便携信息终端设备的监视器等。近年来，还被广泛用于电视机用途。一般，在大致区分液晶显示装置的显示模式时，存在以扭曲向列(TN)方式为代表的纵电场方式、和以平面转换(IPS)方式以及边缘场切换(FFS)方式为代表的横电场方式。在采用横电场方式的液晶显示装置中，具有得到宽视场角以及高对比度这样的特征。在采用IPS方式的液晶显示装置中，通过对夹持于对置的基板之间的液晶施加横电场来进行显示，但由于被施加横电场的像素电极和共同电极设置于同一层，所以无法充分地驱动位于像素电极的正上方的液晶分子。因此，透射率低。另一方面，在采用FFS方式的液晶显示装置中，夹着层间绝缘膜配置共同电极和像素电极，所以发生倾斜电场(边缘电场)。因此，针对位于像素电极的正上方的液晶分子也...
【技术保护点】
一种晶体管，具备：栅电极(2、2a)；栅极绝缘膜(3、3a)，至少覆盖所述栅电极(2、2a)；氧化物半导体层(4、4a)，形成于所述栅极绝缘膜(3、3a)上的包括在俯视时与所述栅电极(2、2a)重叠的位置的位置；沟道保护膜(5、5a)，部分性地覆盖所述氧化物半导体层(4、4a)；源电极(16、16a)，覆盖所述沟道保护膜(5、5a)的一部分和所述氧化物半导体层(4、4a)的一部分；以及漏电极(17、17a)，与所述源电极(16、16a)离开地形成，并且覆盖所述沟道保护膜(5、5a)的一部分和所述氧化物半导体层(4、4a)的一部分，从所述源电极(16、16a)朝向所述漏电极(...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.28 JP 2015-0910851.一种晶体管，具备：栅电极(2、2a)；栅极绝缘膜(3、3a)，至少覆盖所述栅电极(2、2a)；氧化物半导体层(4、4a)，形成于所述栅极绝缘膜(3、3a)上的包括在俯视时与所述栅电极(2、2a)重叠的位置的位置；沟道保护膜(5、5a)，部分性地覆盖所述氧化物半导体层(4、4a)；源电极(16、16a)，覆盖所述沟道保护膜(5、5a)的一部分和所述氧化物半导体层(4、4a)的一部分；以及漏电极(17、17a)，与所述源电极(16、16a)离开地形成，并且覆盖所述沟道保护膜(5、5a)的一部分和所述氧化物半导体层(4、4a)的一部分，从所述源电极(16、16a)朝向所述漏电极(17、17a)的方向上的、在俯视时所述源电极(16、16a)和沟道保护膜(5、5a)重叠的长度比从所述漏电极(17、17a)朝向所述源电极(16、16a)的方向上的、在俯视时所述漏电极(17、17a)和沟道保护膜(5、5a)重叠的长度长。2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述氧化物半导体层(4、4a)在俯视时形成于所述栅电极(2、2a)的内侧。3.根据权利要求1或者2所述的晶体管，其中，以阈值电压是负的耗尽模式动作。4.一种薄膜晶体管基板，具备权利要求1所述的晶体管，其中，所述晶体管被用于驱动作为与液晶显示装置中的像素对应的晶体管的像素晶体管(30)的电路，驱动所述像素晶体管(30)的电路具备第一晶体管(20a)、第二晶体管(20b)、第三晶体管(20c)以及电容器(C1)，所述第一晶体管(20a)的源电极与所述电容器(C1)的一方的电极以及所述第二晶体管(20b)的漏电极连接，所述电容器(C1)的另一方的电极与所述第一晶体管(20a)的栅电极以及第三晶体管(20c)的源电极连接，至少所述第三晶体管(20c)是权利要求1所述的晶体管，所述晶体管形成于与作为形成有所述像素晶体管(30)的阵列基板的所述薄膜晶体管基板相同的基板(1、1a)上。5.一种薄膜晶体管基板，具备权利要求1所述的晶体管，其中，所述晶体管被用于驱动作为与液晶显示装置中的像素对应的晶体管的像素晶体管(30)的逆变器电路，驱动所述像素晶体管(30)的逆变器电路具备第一晶体管(40a)和第二晶体管(40b)，所述第一晶体管(40a)的源电极与所述第一晶体管(40a)的栅电极以及所述第二晶体管(40b)的漏电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：平野梨伊，山县有辅，中川直纪，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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