薄膜晶体管以及显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管包括：栅电极，形成于基板的表面；第一非晶硅层，形成于栅电极的上侧；多个多晶硅层，被第一非晶硅层分离，并且具有所需的间隔尺寸而形成于栅电极的上侧；第二非晶硅层和n+硅层，形成于多个多晶硅层和第一非晶硅层的上侧；源电极和漏电极，形成在n+硅层上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】薄膜晶体管以及显示面板
本专利技术涉及一种薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。
技术介绍
就TFT(ThinFilmTransistor：薄膜晶体管)方式的液晶显示器而言，通过将TFT基板和具有R(红)，G(绿)，B(蓝)色的滤色片基板设置所需的间隔而贴合，并向TFT基板与滤色片基板之间注入液晶，对每个像素控制液晶分子的光透过率，由此，能够显示影像。在TFT基板中，数据线和扫描线在纵向和横向上布线为网格状，并在数据线和扫描线交叉的部位形成由TFT构成的像素。另外，在由多个像素构成的显示区域的周围形成由TFT构成且用于驱动数据线以及扫描线的驱动电路。根据半导体(硅)的结晶状态，TFT有非结晶状态的a-Si(amorphousSilicon：非晶硅)TFT和多晶状态的p-Si(polycrystallineSilicon：多晶硅)TFT这两种。a-SiTFT的电阻高且漏电流(泄漏电流)小。另外，p-SiTFT与a-SiTFT相比，电子的迁移率非常大。因此，在构成显示区域的各像素中使用漏电流小的a-SiTFT，在驱动电路中使用电子迁移率大的p-SiTFT。另一方面，从结构方面来观察T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅电极，形成于基板的表面，第一非晶硅层，形成于该栅电极的上侧，多个多晶硅层，被该第一非晶硅层分离，并且，彼此之间具有所需的间隔尺寸地形成于所述栅电极的上侧，第二非晶硅层和n+硅层，形成于所述多个多晶硅层和所述第一非晶硅层的上侧，源电极和漏电极，形成在该n+硅层上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅电极，形成于基板的表面，第一非晶硅层，形成于该栅电极的上侧，多个多晶硅层，被该第一非晶硅层分离，并且，彼此之间具有所需的间隔尺寸地形成于所述栅电极的上侧，第二非晶硅层和n+硅层，形成于所述多个多晶硅层和所述第一非晶硅层的上侧，源电极和漏电极，形成在该n+硅层上。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述间隔尺寸在0.1μm～5μm的范围内。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：石田茂，野寺伸武，高仓良平，松岛吉明，松本隆夫，小林和树，桶谷大亥，
申请(专利权)人：堺显示器制品株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP