薄膜晶体管、阵列基板及掩膜板制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管、阵列基板以及制作薄膜晶体管的掩膜板。薄膜晶体管包括源极、漏极及导电沟道。所述源极沿第一方向设置且在第二方向具有第一开口。所述漏极整体呈沿着第二方向延伸的长条形，包括第一条形部与第二条形部，所述第一条形部沿着第一方向的宽度小于第二条形部沿第一方向的宽度，所述第一条形部自所述第一开口伸入所述源极内，所述第一方向垂直于所述第二方向。所述导电沟道位于所述源极与所述漏极之间。所述第一条形部包括位于第二方向且相对的第一自由端与第一连接端，所述第二自由端位于所述源极内，所述第一连接端连接所述第二条形部，所述第一连接端位于所述源极外部。

Thin film transistor, array substrate and mask plate

The invention discloses a thin film transistor, an array substrate and a mask plate for making a thin film transistor. Thin film transistors include source, drain, and conductive channel. The source is disposed along the first direction and has a first opening in the second direction. The drain is strip extending along the second direction, including the first part and the second part of the bar bar bar, the first part along the first direction width is less than second of strip width along a first direction, the first bar since the first opening into the source in the first direction perpendicular to the second direction. The conductive channel is located between the source and the drain. The first bar section comprises a first free end and a first connecting end in the second direction, and the second free end is located in the source, and the first connecting end is connected to the second strip part, and the first connecting end is positioned outside the source.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板及掩膜板
本专利技术涉及薄膜晶体管制作
，尤其是涉及用于制作薄膜晶体管的掩膜技术。
技术介绍
薄膜晶体管已经广泛应用于各领域的显示装置中，例如液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)与有机发光而激光显示装置(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)。由此，薄膜晶体管的性能以及工作稳定性与显示装置的品质直接相关。随着显示装置的分辨率的提高，那么每个像素单元所占据的面积也越来越小，导致薄膜晶体管的制作难度也大幅提高，并且经常出现薄膜晶体管与像素单元无法正常传递信号，导致显示装置无法正常显示图像。
技术实现思路
为解决前述技术问题，本专利技术提供一种工作稳定性较高的薄膜晶体管。进一步，提供包括前述薄膜晶体管的阵列基板。进一步，提供一种制作前述薄膜晶体管的掩膜板。一种薄膜晶体管，包括源极、漏极及导电沟道。所述源极沿第一方向设置整体呈“n”形，在第二方向具有第一开口。所述漏极整体呈沿着第二方向延伸的长条形，包括第一条形部与第二条形部，所述第一条形部沿着第一方向的宽度小于第二条形部沿第一方向的宽度，所述第一条形部自所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括源极、漏极及导电沟道，其特征在于：所述源极沿第一方向设置，所述源极设有第一开口，所述第一开口朝向第二方向；所述漏极整体呈沿着第二方向延伸的长条形，包括第一条形部与第二条形部，所述第一条形部沿着第一方向的宽度小于第二条形部沿第一方向的宽度，所述第一条形部自所述第一开口伸入所述源极内，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述导电沟道位于所述源极与所述漏极之间；以及所述第一条形部且包括相对设置的第一自由端与第一连接端，所述第一自由端位于所述源极内且边缘，所述第一连接端连接所述第二条形部，所述第一连接端位于所述源极外部。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括源极、漏极及导电沟道，其特征在于：所述源极沿第一方向设置，所述源极设有第一开口，所述第一开口朝向第二方向；所述漏极整体呈沿着第二方向延伸的长条形，包括第一条形部与第二条形部，所述第一条形部沿着第一方向的宽度小于第二条形部沿第一方向的宽度，所述第一条形部自所述第一开口伸入所述源极内，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述导电沟道位于所述源极与所述漏极之间；以及所述第一条形部且包括相对设置的第一自由端与第一连接端，所述第一自由端位于所述源极内且边缘，所述第一连接端连接所述第二条形部，所述第一连接端位于所述源极外部。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极整体呈“n”形，所述第一条形部呈矩形且沿着所述第一方向的尺寸相同，所述第一自由端呈圆弧形端面。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极，所述栅极包括沿所述第二方向延伸的凸出部与沿所述第一方向延伸的延伸部，所述凸出部与所述延伸部连接，所述源极沿第三方向投影位于所述凸出部内，所述漏极与所述延伸部垂直交叉，所述第一连接端沿第三方向投影位于所述延伸部内，所述第三方向垂直于所述第一、第二方向。4.一种阵列基板，包括像素电极与如权利要求1-3任意一项所述的薄膜晶体管，所述像素电极电性连接所述漏极。5.一种掩膜板，用于制造薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括源极、漏极及导电沟道，所述掩膜板包括不透光区域、半透光区域及透光区...

【专利技术属性】
技术研发人员：雍玮娜，李倩倩，黄添钧，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44