低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示设备技术

本发明专利技术提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，其包括：基板；栅极，设置于基板上；栅极绝缘层，设置于基板和栅极上；多晶硅层，设置于栅极绝缘层上，多晶硅层上具有凹槽；掺杂多晶硅层，设置于多晶硅层上且具有完全暴露凹槽的通孔；蚀刻阻挡层，设置于栅极绝缘层和掺杂多晶硅层上并填充通孔和凹槽，且具有暴露掺杂多晶硅层的第一过孔和第二过孔；源极和漏极，设置于蚀刻阻挡层上，源极和漏极分别填充第一过孔和第二过孔，以分别与掺杂多晶硅层接触；钝化层，设置于源极、漏极和刻蚀阻挡层上。本发明专利技术还提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法及显示设备。本发明专利技术能防止源极和漏极与多晶硅层直接接触，从而减小低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流。

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示设备
本专利技术属于薄膜晶体管制作
，具体地讲，涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法、显示设备。
技术介绍
随着光电与半导体技术的演进，也带动了平板显示器(FlatPanelDisplay)的蓬勃发展，而在诸多平板显示器中，液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等诸多优越特性，已成为市场的主流。目前，作为LCD和OLED显示器的开关元件而广泛采用的是非晶硅薄膜三极管(a-SiTFT)，但a-SiTFTLCD在满足薄型、轻量、高精细度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低温多晶硅(LowerTemperaturePolycrystalSilicon，LTPS)TFT与a-SiTFT相比，在满足上述要求方面，具有明显优势。然而在目前的低温多晶硅薄膜晶体管中，由于源极和漏极能够与未掺杂离子的多晶硅层接触，因此会导致低温多晶硅薄膜晶体管漏电流Ioff增大，从而影响低温多晶硅薄膜晶体管的特性，进而会影响LCD和OLED显示器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；栅极，设置于所述基板上；栅极绝缘层，设置于所述基板和所述栅极上；多晶硅层，设置于所述栅极绝缘层上，所述多晶硅层上具有凹槽；掺杂多晶硅层，设置于所述多晶硅层上，所述掺杂多晶硅层中具有通孔，所述通孔完全暴露所述凹槽；蚀刻阻挡层，设置于所述栅极绝缘层和所述掺杂多晶硅层上并填充所述通孔和所述凹槽，所述蚀刻阻挡层中具有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔分别暴露出掺杂多晶硅层；源极和漏极，设置于所述蚀刻阻挡层上，所述源极填充所述第一过孔，以与所述第一过孔暴露出的掺杂多晶硅层接触，所述漏极填充所述第二过孔，以与所述第二过孔暴露出的掺杂多晶硅层接触...

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；栅极，设置于所述基板上；栅极绝缘层，设置于所述基板和所述栅极上；多晶硅层，设置于所述栅极绝缘层上，所述多晶硅层上具有凹槽；掺杂多晶硅层，设置于所述多晶硅层上，所述掺杂多晶硅层中具有通孔，所述通孔完全暴露所述凹槽；蚀刻阻挡层，设置于所述栅极绝缘层和所述掺杂多晶硅层上并填充所述通孔和所述凹槽，所述蚀刻阻挡层中具有第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔分别暴露出掺杂多晶硅层；源极和漏极，设置于所述蚀刻阻挡层上，所述源极填充所述第一过孔，以与所述第一过孔暴露出的掺杂多晶硅层接触，所述漏极填充所述第二过孔，以与所述第二过孔暴露出的掺杂多晶硅层接触；钝化层，设置于所述源极、所述漏极和所述刻蚀阻挡层上。2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述掺杂多晶硅层中掺杂有硼离子。3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述蚀刻阻挡层由硅的氧化物和/或硅的氮化物制成。4.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求1至3任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管。5.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板；在所述基板上制作形成栅极；在所述基板和所述栅极上制作形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制作形成多晶硅层以及位于所述多晶硅层上的掺杂多晶硅层；在所述掺杂多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42