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本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，其包括：基板；栅极，设置于基板上；栅极绝缘层，设置于基板和栅极上；多晶硅层，设置于栅极绝缘层上，多晶硅层上具有凹槽；掺杂多晶硅层，设置于多晶硅层上且具有完全暴露凹槽的通孔；蚀刻阻挡层，设置于栅极绝缘层和...
该专利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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