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本技术涉及在沟道层中使用氧化物半导体、并且能够抑制阈值电压的变动的晶体管、具备该晶体管的薄膜晶体管基板以及液晶显示装置。在晶体管中，从源电极(16)向漏电极(17)的方向上的、作为源电极(16)和沟道保护膜(5)在俯视时重叠的长度的交叠长(...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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