半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置制造方法及图纸

在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。晶体管包括第一栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第二绝缘膜、第二栅电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn(M为Al、Ga、Y或Sn)。在第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于第一氧化物半导体膜。第二栅电极包含氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置
本专利技术的一个方式涉及一种包括氧化物半导体膜的半导体装置及包括该半导体装置的显示装置。另外，本专利技术的一个方式涉及一种包括氧化物半导体膜的半导体装置的制造方法。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。尤其是，本专利技术涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、它们的驱动方法或制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置一般地是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置。除了晶体管等半导体元件，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。摄像装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池或有机薄膜太阳能电池等)及电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
通过利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜来构成晶体管(也称为场效应晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：晶体管，该晶体管包括：第一栅电极；所述第一栅电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；所述第二绝缘膜上的第二栅电极；以及所述第二栅电极上的第三绝缘膜，其中，所述氧化物半导体膜包括所述第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn，M为Al、Ga、Y或Sn，在所述第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于所述第一氧化物半导体膜，并且，所述第二栅电极包含所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.03 JP 2015-040981;2015.03.17 JP 2015-052901.一种半导体装置，包括：晶体管，该晶体管包括：第一栅电极；所述第一栅电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；所述第二绝缘膜上的第二栅电极；以及所述第二栅电极上的第三绝缘膜，其中，所述氧化物半导体膜包括所述第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn，M为Al、Ga、Y或Sn，在所述第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于所述第一氧化物半导体膜，并且，所述第二栅电极包含所述氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体膜包括满足In>M的区域，所述第二氧化物半导体膜包括满足In≤M的区域，并且M为Al、Ga、Y或Sn。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二栅电极包括第三氧化物半导体膜以及所述第三氧化物半导体膜上的第四氧化物半导体膜，所述第三氧化物半导体膜包括满足In≤M的区域，所述第四氧化物半导体膜包括满足In≥M的区域，并且M为Al、Ga、Y或Sn。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜包括具有c轴取向性的结晶部。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第三绝缘膜包含氢和氮中的至少一个。6.一种显示装置，包括：权利要求1所述的半导体装置；以及显示元件。7.一种显示模块，包括：权利要求6所述的显示装置；以及触摸传感器。8.一种电子设备，包括：权利要求1所述的半导体装置；以及操作键和电池中的至少一个。9.一种半导体装置，包括：晶体管，该晶体管包括：第一栅电极；所述第一栅电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；所述第二绝缘膜上的第二栅电极；以及所述第二栅电极上的第三绝缘膜，其中，所述第二栅电极通过所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的开口部与所述第一栅电极电连接，所述氧化物半导体膜包括所述第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn，M为Al、Ga、Y或Sn，在所述第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于所述第一氧化物半导体膜，并且，所述第二栅电极包含所述氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体膜包括满足In>M的区域，所述第二氧化物半导体膜包括满足In≤M的区域，并且M为Al、Ga、Y或Sn。11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第二栅电极包括第三氧化物半导体膜以及所述第三氧化物半导体膜上的第四氧化物半导体膜，所述第三氧化物半导体膜包括满足In≤M的区域，所述第四氧化物半导体膜包括满足In≥M的区域，...

【专利技术属性】
技术研发人员：肥塚纯一，冈崎健一，保坂泰靖，神长正美，井口贵弘，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP