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半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置制造方法及图纸
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文档序号:16673611
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在包括氧化物半导体膜的晶体管中,抑制电特性的变动。晶体管包括第一栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第二绝缘膜、第二栅电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。
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