透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜技术

技术编号:16668336 阅读:37 留言:0更新日期:2017-11-30 14:52
本发明专利技术提供一种实现透明导电膜的透明导电层表面的低电阻化及透明导电层的表面粗糙度降低、且同时抑制了水蒸气透过透明导电膜的透明导电层的透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜。本发明专利技术提供透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜,所述透明导电层叠层用膜是在透明树脂膜基材上的透明阻气层上至少叠层有具有开口部的金属层和设置于该开口部的透明树脂层的复合层而成的透明导电层叠层用膜,其中,具有该透明阻气层的该透明树脂膜基材的JIS K7129所规定的40℃×90%RH的水蒸气透过率为1.0×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜
本专利技术涉及透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜。
技术介绍
近年来,随着印刷电子设备的发展,正在推进以期待今后能够普及的有机薄膜太阳能电池、有机EL照明等为代表的主要使用了有机材料的电子器件的大面积化及柔性化。从制成高性能且大面积的电子器件的观点考虑,对于这些电子器件中作为透光性电极使用的透明导电膜而言,为了改善在器件工作(集电或施加电压)时因透明导电层通常具有高电阻率而产生的电力损失(在太阳能电池等发电用电子器件的情况下,越远离集电电极,由于透明导电层的高电阻率而使电流密度越是降低,从而使决定电池性能的转换效率降低)或特性分布(在有机EL照明等发光用电子器件的情况下,越远离施加电压电极离开,由于透明导电层的高电阻率而使电流密度越是降低,从而产生亮度分布等),要求透明导电层表面的低电阻率化。另外,从保持器件性能及柔性、且制成长寿命的电子器件的观点考虑,为了抑制因透过上述透明导电膜的透明导电层的水蒸气、氧等所导致的电子器件内部的活性层等材料、或金属布线材料的劣化,要求阻气性。其中,对于涉及上述透明导电层表面的低电阻化(包括对透明导电层赋予辅助金属电极层、赋予该辅助金属电极层形成的结构(高低差)导致的电子器件内部的透明导电层与驱动层部发生短路等的消除)的要求,例如,在专利文献1中公开了一种在透明导电层上设置具有比透明导电层更低电阻值的金属细线、金属糊的图案层作为辅助电极的结构,同时,作为消除上述产生短路等的问题的方法,公开了一种在由金属膜形成的层上叠层有透明导电膜的透明电极基板,所述金属膜在由塑料树脂膜形成的透明基板上的开口部具有透明树脂膜。另外,关于阻气性的要求,专利文献2中公开了在透明膜基材上依次叠层有透明阻隔层、透明树脂层及透明导电层而成的阻隔性透明导电膜。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第4615250号公报专利文献2:国际公开第2011/046011号
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而,在专利文献1中,对于该结构而言,例如,无法仅用树脂基材来满足有机薄膜太阳能电池、有机EL照明等电子器件内部的活性层等所要求的阻气性,水分从与大气接触一侧的透明导电性基板透过而使电子器件内部的活性层等劣化,存在成为包括器件性能变差在内的器件寿命缩短的原因这样严重的问题。另外,在专利文献2中,虽然利用透明阻气层抑制水分从与大气接触一侧的透明膜基材表面透过,但另一方面,未考虑到水分从构成透明导电膜的透明树脂层与大气直接接触的透明树脂层的端面向器件内部透过的阻气性,存在因水分从透明树脂层的端面向构成上述电子器件的活性层等透过而使器件性能经时劣化、缩短器件寿命的问题。鉴于上述问题,本专利技术的课题在于提供实现透明导电膜的透明导电层表面的低电阻化及透明导电层的表面粗糙度降低、且同时抑制了水蒸气透过透明导电膜的透明导电层的透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜。另外,本专利技术的课题还在于通过将本专利技术的透明导电膜用作透光性电极,提供器件性能劣化少且长寿命化的有机薄膜太阳能电池及有机EL照明。解决课题的方法本专利技术人等为了解决上述课题而进行了深入研究,结果发现一种透明导电层叠层用膜,其是在透明树脂膜基材上的透明阻气层上叠层有具有开口部的金属层和设置于该开口部的透明树脂层的复合层而成的透明导电层叠层用膜,其中,通过将该具有透明阻气层的该透明树脂膜基材及该透明树脂层的水蒸气透过率分别设为特定的范围,可以抑制水蒸气从透明树脂膜基材透过,且可以抑制水蒸气从透明树脂层端面透过,进而发现,通过将在透明导电层叠层用膜上叠层透明导电层而成的透明导电膜用作电子器件的透光性电极,能够在使透明导电层低电阻化的同时减少器件性能的劣化,实现长寿命化,从而完成了本专利技术。需要说明的是,在本专利技术中,“包含透明阻气层的透明树脂膜基材”是指将透明阻气层叠层于透明树脂膜基材的至少任一面而成的透明树脂膜基材。即,本专利技术提供以下的(1)~(11)。(1)一种透明导电层叠层用膜,其是在透明树脂膜基材上的透明阻气层上至少叠层有具有开口部的金属层和设置于该开口部的透明树脂层的复合层而成的透明导电层叠层用膜,其中,具有该透明阻气层的该透明树脂膜基材的JISK7129所规定的40℃×90%RH的水蒸气透过率为1.0×10-3(g/m2·天)以下,且相当于100μm该透明树脂层的JISK7129所规定的40℃×90%RH的水蒸气透过率为20(g/m2·天)以下。(2)上述(1)所述的透明导电层叠层用膜,其中,所述透明树脂层由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯或聚偏氯乙烯形成。(3)上述(1)所述的透明导电层叠层用膜,其中,所述透明阻气层由氮氧化硅层、无机氧化物层或无机氮化物层形成。(4)上述(1)所述的透明导电层叠层用膜,其中,所述复合层的包含所述金属层与所述透明树脂层的界面高低差的表面的JIS-B0601-1994所规定的均方根粗糙度Rq为200nm以下。(5)一种透明导电膜,其是在上述(1)~(4)中任一项所述的透明导电层叠层用膜的复合层上叠层透明导电层而成的。(6)上述(5)所述的透明导电膜,其中,所述透明导电层包含透明导电性氧化物或导电性有机高分子。(7)上述(6)所述的透明导电膜,其中,所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物(ITO)或镓锌氧化物(GZO),导电性有机高分子为聚(3,4-乙撑二氧噻吩)︰聚(苯乙烯磺酸盐)[PEDOT︰PSS]。(8)上述(5)~(7)中任一项所述的透明导电膜,其中,所述透明导电膜的透明导电层的表面电阻率为5(Ω/□)以下。(9)一种电子器件,其是对置的电极中的至少一者由所述透明导电膜构成的电子器件,其中,该透明导电膜为上述(5)~(8)中任一项所述的透明导电膜。(10)一种透明导电层叠层用膜的制造方法,所述透明导电层叠层用膜是在透明树脂膜基材上的透明阻气层上至少叠层有具有开口部的金属层和设置于该开口部的透明树脂层的复合层而成的透明导电层叠层用膜,该制造方法包括下述工序(A)、(B):(A)在转印用基材上形成所述具有开口部的金属层,再在该开口部形成所述透明树脂层,从而形成复合层的工序;(B)将该复合层转印到所述透明阻气层上的工序。(11)上述(10)所述的透明导电膜的制造方法,该制造方法包括:进一步使透明导电层叠层于所述透明导电层叠层用膜的所述复合层上的工序。专利技术的效果根据本专利技术,可以提供实现透明导电膜的透明导电层表面低电阻化及透明导电层的表面粗糙度降低、且同时抑制了水蒸气透过透明导电膜的透明导电层的透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜。另外,通过将本专利技术的透明导电膜用作透光性电极,可以提供器件性能的劣化少且长寿命化的有机薄膜太阳能电池及有机EL照明。附图说明图1是示出本专利技术的透明导电层叠层用膜及透明导电膜的一例的剖面图。图2是按照工序顺序示出本专利技术的制造方法的工序的一例的示意图。图3是用于对本专利技术的实施例、比较例中制作的钙腐蚀试验评价用样品进行说明的图,(a)是钙腐蚀试验评价用样品的剖面图,(b)是示出腐蚀发展后的钙层的腐蚀图像的平面图。符号说明1:透明导电膜1a:透明导电层叠层用膜1b:透明导电层2:透明树脂膜基材3:透明阻气层4:复合层5:金属层(辅助电极层)6:透明树脂本文档来自技高网
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透明导电层叠层用膜、其制造方法及透明导电膜

【技术保护点】
一种透明导电层叠层用膜,其是在透明树脂膜基材上的透明阻气层上至少叠层有具有开口部的金属层和设置于该开口部的透明树脂层的复合层而成的透明导电层叠层用膜,其中,具有该透明阻气层的该透明树脂膜基材的JIS K7129所规定的40℃×90%RH的水蒸气透过率为1.0×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.27 JP 2015-0668371.一种透明导电层叠层用膜,其是在透明树脂膜基材上的透明阻气层上至少叠层有具有开口部的金属层和设置于该开口部的透明树脂层的复合层而成的透明导电层叠层用膜,其中,具有该透明阻气层的该透明树脂膜基材的JISK7129所规定的40℃×90%RH的水蒸气透过率为1.0×10-3(g/m2·天)以下,且相当于100μm该透明树脂层的JISK7129所规定的40℃×90%RH的水蒸气透过率为20(g/m2·天)以下。2.根据权利要求1所述的透明导电层叠层用膜,其中,所述透明树脂层由聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯或聚偏氯乙烯形成。3.根据权利要求1所述的透明导电层叠层用膜,其中,所述透明阻气层由氮氧化硅层、无机氧化物层或无机氮化物层形成。4.根据权利要求1所述的透明导电层叠层用膜,其中,所述复合层的包含所述金属层与所述透明树脂层的界面高低差的表面的JIS-B0601-1994所规定的均方根粗糙度Rq为200nm以下。5.一种透明导电膜,其是在权利要求1~4中任一项所述的透明导电层叠层用膜的复合层上叠层透明导电层而成的。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:森田亘原务西岛健太武藤豪志
申请(专利权)人:琳得科株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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