声波谐振器及其制造方法技术

提供了一种声波谐振器及其制造方法，所述声波谐振器包括：基板；谐振部，包括顺序地堆叠在基板上的下电极、压电层和上电极以及沿着上电极的边缘形成在上电极上的框架；沟槽部，形成在谐振部的至少一侧并使得谐振部的厚度是不均匀的。

【技术实现步骤摘要】
声波谐振器及其制造方法本申请要求于2016年5月18日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0061047号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
下面的描述涉及一种声波谐振器及制造声波谐振器的方法。
技术介绍
按照朝向无线通信装置小型化的趋势，需要使高频组件小型化的技术。高频组件技术的示例为使用半导体薄膜晶圆制造技术的体声波(BAW)谐振器式滤波器。体声波(BAW)谐振器是被构造为利用沉积在作为半导体基板的硅晶圆上的压电介电材料的压电特性产生谐振并且被实施为滤波器的薄膜型元件。BAW谐振器可用在移动通信装置、化学感测装置和生物感测装置的诸如小且轻的滤波器、振荡器、谐振元件和声波谐振质量传感器的装置中。为了改善BAW谐振器的特性和性能，已对多种结构形状和功能进行了研究。因此，期望得到改进的制造BAW谐振器的方法。第6,396,200号和第7,280,007号美国专利公开了谐振器的上电极的外侧的质量加载结构。质量加载结构为这样一种结构，在该结构中，使用框架的谐振部的边缘处形成能量阱，并且该结构用于通过防止谐振器中形成的声波泄漏到谐振器的外部来增大谐振器的品质因数。第6,812,619号美国专利公开了一种具有围绕谐振器的中心区域的类似框架的结构的谐振器。类似框架的结构使用与谐振器的中心区域的截止频率相比稍有不同的截止频率来形成外周区域，类似框架的结构用于通过打乱谐振频率周围形成的水平声波来减少由于水平波谐振导致的不期望的噪声。然而，类似框架的结构的缺点在于：谐振器在谐振频率下的品质因数由于声波从邻近框架的位置向谐振器外部的泄漏增多而减小。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化形式来介绍专利技术构思的选择，以下在具体实施方式中进一步描述专利技术构思。本
技术实现思路
并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总的方面，一种声波谐振器包括：基板；谐振部，包括顺序地堆叠在基板上的下电极、压电层和上电极以及沿着上电极的边缘形成在上电极上的框架；沟槽部，形成在谐振部的至少一侧并使谐振部的厚度是不均匀的。沟槽部可以以槽的形状形成在上电极中。上电极可形成为四边形形状，沟槽部可与上电极的边平行设置。沟槽部可沿着上电极的所述边中的两条边连续地设置。沟槽部的沿着所述两条边中的一条边设置的部分和沟槽部的沿着所述两条边中的另一条边设置的部分可具有不同的宽度。沟槽部可沿着框架的内壁形成为线性槽。沟槽部的宽度可大于沟槽部的深度。沟槽部可基于沟槽部的位置而形成为不同的深度。所述声波谐振器还可包括堆叠在上电极上的绝缘保护层，其中，沟槽部由绝缘保护层的所去除的部分而形成为槽的形状。沟槽部的底表面可由绝缘保护层形成。沟槽部可形成在下电极中，压电层可填充在沟槽部中。在另一总的方面中，一种用于制造声波谐振器的方法，所述方法包括：在基板上形成牺牲层；在牺牲层上顺序地堆叠下电极和压电层；在压电层上形成上电极，其中，上电极包括沟槽部；去除牺牲层。形成上电极的步骤可包括：在压电层上形成第一电极层；在第一电极层的上表面的除了沟槽部之外的区域上形成第二电极层。所述方法还可包括在第二电极层上形成框架层。沟槽部可仅沿着框架层的两条相邻的边设置在上电极中。形成上电极的步骤可包括：在压电层上形成电极层；通过去除电极层的一部分来形成沟槽部。所述方法还可包括在电极层上形成框架层。其它特征和方面将通过下面的具体实施方式、附图和权利要求而显而易见。附图说明图1是根据实施例的声波谐振器的截面图。图2是示出图1的谐振部的示意性透视图。图3是图2的平面图。图4A至图4C是示出根据实施例的声波谐振器和根据现有技术的声波谐振器的模拟值的曲线图。图5是示出根据另一实施例的声波谐振器的谐振部的示意性平面图。图6是示出根据另一实施例的声波谐振器的示意性截面图。图7是示出根据另一实施例的声波谐振器的示意性截面图。图8至图11是示出根据实施例的制造图1的声波谐振器的方法的截面图。图12是示出根据另一实施例的制造图1的声波谐振器的方法的截面图。图13A和图13B是示出表示图4A至图4C中示出的反射特性的声波谐振器的品质因数的模拟结果的曲线图。在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些方式。具体实施方式提供以下的具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改以及等同物在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并不限于在此所阐述的示例，而是除了必须以特定顺序进行的操作之外，可在理解了本申请的公开内容后做出将是显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略对本领域中已知的特征的描述。在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些方式。在整个说明书中，当诸如层、区域或基板等的元件被描述为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“位于”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于两者之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于两者之间的其他元件。如在此使用的，术语“和/或”包括任何两个或更多个相关联的所列项目中的任何一个以及任何组合。虽然可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不应被这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中的被称为第一构件、组件、区域、层或部分也可被称作第二构件、组件、区域、层或部分。为了描述的方便，可在此使用诸如“在…之上”、“上方”、“在…之下”和“下方”等与空间相关的术语，以描述如图中示出的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在包括除了附图中所描绘的方位之外装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”另一元件“之上”或“上方”的元件将随后被定位为“在”另一元件“之下”或“下方”。因此，术语“在…之上”根据装置的空间方位而包含“在…之上”和“在…之下”两种方位。装置还可被以其他的方式定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并可对在此使用的空间相对术语做出相应解释。在此使用的术语仅用于描述各种示例，并不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则冠词的单数形式也意于包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数目、操作、构件、元件和/或他们的组合，而不排除存在或增加一个或更多个其他特征、数目、操作、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声波谐振器，包括：基板；谐振部，包括顺序地堆叠在基板上的下电极、压电层和上电极以及沿着上电极的边缘形成在上电极上的框架；沟槽部，形成在谐振部的至少一侧并使谐振部的厚度是不均匀的。

【技术特征摘要】
2016.05.18 KR 10-2016-00610471.一种声波谐振器，包括：基板；谐振部，包括顺序地堆叠在基板上的下电极、压电层和上电极以及沿着上电极的边缘形成在上电极上的框架；沟槽部，形成在谐振部的至少一侧并使谐振部的厚度是不均匀的。2.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，沟槽部以槽的形状形成在上电极中。3.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，上电极形成为四边形形状，沟槽部与上电极的边平行设置。4.如权利要求3所述的声波谐振器，其中，沟槽部沿着上电极的所述边中的两条边连续地设置。5.如权利要求4所述的声波谐振器，其中，沟槽部的沿着所述两条边中的一条边设置的部分和沟槽部的沿着所述两条边中的另一条边设置的部分具有不同的宽度。6.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，沟槽部沿着框架的内壁形成为线性槽。7.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，沟槽部的宽度大于沟槽部的深度。8.如权利要求2所述的声波谐振器，其中，沟槽部基于沟槽部的位置而形成为不同的深度。9.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大虎，丁大勋，韩源，孙尚郁，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR