声波装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种声表面波装置（１），在压电基板（２）上至少形成一个ＩＤＴ电极（３），按照覆盖ＩＤＴ电极（３）的方式设置有温度特性改善用绝缘物层（６），在将绝缘物层（６）的表面划分为ＩＤＴ电极位于下方的第一表面区域、和ＩＤＴ电极未位于下方的第二表面区域的情况下，与第一表面区域的至少一部分中的距离压电基板（２）的绝缘物层表面的高度相比，在设声波的波长为λ时，第二表面区域的至少一部分中的绝缘物层表面的高度高出０．００１λ以上。由此，可以在几乎不导致相对频带的狭小化及插入损失劣化的情况下，有效地改善频率温度特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及例如可作为谐振件或带通滤波器而使用的声波装置，更具体而言，涉及一种具备按照覆盖IDT电极的方式形成了温度特性改善用绝 缘物层的构造的。
技术介绍
以往，在移动体通信设备的带通滤波器等中，广泛使用了声波谐振件 或声波滤波器。在下述的专利文献l中公开了这种声波装置的一个例子。 图13是示意表示专利文献1中记载的声表面波装置的主视剖视图。在图 13所示的声表面波装置101中，在压电基板102上形成有IDT电极103。 按照覆盖IDT电极103的方式形成有绝缘物层104。其中，压电基板102 如LiTa03基板或LiNb03基板那样，由具有负的频率温度系数的压电材料 形成。另一方面，绝缘物层104由Si02那样的具有正的频率温度系数的绝 缘材料形成。因此，可提供温度特性出色的声表面波装置101。声波装置101中，在形成了 IDT电极103之后，形成由Si02膜等构 成的绝缘物层104。因此，^利用蒸镀等薄膜形成法形成了绝缘物层104 的情况下， 一定会在绝缘物层104的表面形成具有凸部104a和凹部104b 的凹凸。这是由于基底存在IDT电极103，所以，在存在IDT电极10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声波装置，具备：　具有一个主面和另一个主面的压电基板；　形成在所述压电基板的一个主面上的至少一个ＩＤＴ电极；和　在所述压电基板上被设置成覆盖所述ＩＤＴ电极的温度特性改善用绝缘物层；　在设声波的波长为λ，并将所述绝缘物层表面划分成ＩＤＴ电极位于下方的第一表面区域、和ＩＤＴ电极未位于下方的第二表面区域的情况下，与第一表面区域的至少一部分中的距离压电基板的绝缘物层表面的高度相比，所述第二表面区域的至少一部分中的绝缘物层表面的高度高出０．００１λ以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：木户俊介，中尾武志，中井康晴，西山健次，门田道雄，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]