半导体存储装置及其存储器系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体存储装置及其存储器系统。半导体存储装置包含存储阵列、错误纠正部件与设定部件。错误纠正部件将所生成的错误纠正码保存至保存区域。设定部件能够从外部设定所述保存区域。由此本发明专利技术提供一种具备与现有的系统之间实现兼容性的错误纠正功能的半导体存储装置及其存储器系统。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置及其存储器系统
本专利技术涉及一种半导体存储装置，尤其涉及一种具备芯片上(onchip)的错误检测/纠正功能的半导体存储装置及其存储器系统。
技术介绍
在NAND型快闪存储器中，由于要反复进行数据的编程或擦除，因而会因穿隧绝缘膜的劣化而导致电荷保持特性发生恶化，或者因被穿隧绝缘膜捕获的电荷而产生阈值变动，从而在读出操作等时引起位错(biterror)。日本专利特开2010-152989号公报中，作为此种位错的对策，搭载了错误检测纠正电路(ErrorCheckingCorrection，ECC)。伴随NAND快闪存储器的微细化，在读出过程等中产生的位错数存在增加的倾向。各厂商为了具备与以往产品的兼容性，而且为了更容易在系统中使用，开发出具备利用元件自身来执行错误检测纠正的功能的产品。其被称作芯片上ECC产品，并执行下述操作：在元件内部自动算出在ECC计算时使用的码(code)信息，并将其写入所确定的地址区域。图1表示在芯片上搭载ECC功能的NAND型快闪存储器的区段M部分。在芯片上搭载ECC功能的快闪存储器中，能够通过命令或设定等来启用/禁用ECC。编程操作时，从外部输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，其特征在于,包括：存储阵列；错误纠正部件，具备对存储于所述存储阵列中的数据或从所述存储阵列读出的数据的错误进行纠正的功能，且具备将用于错误纠正的所生成的错误纠正码保存于保存区域中的功能；以及设定部件，能够从外部设定所述保存区域。

【技术特征摘要】
2016.05.16 JP 2016-0978701.一种半导体存储装置，其特征在于,包括：存储阵列；错误纠正部件，具备对存储于所述存储阵列中的数据或从所述存储阵列读出的数据的错误进行纠正的功能，且具备将用于错误纠正的所生成的错误纠正码保存于保存区域中的功能；以及设定部件，能够从外部设定所述保存区域。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述设定部件从外部接受用于设定所述保存区域的地址信息，且基于所述地址信息来设定所述保存区域。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，所述地址信息包含用于保存所述错误纠正码的起始地址与所述保存区域的大小。4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，所述设定部件基于来自外部的命令来设定所述保存区域。5.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，所述设定部件在非易失性寄存器中保持所述地址信息。6.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其特征在于，所述半导体存储装置还包括：输出部件，将由所述设定部件所设定的信息输出至外部。7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，所述输出部件在所述地址信息中所含的所述保存区域的大小比所述错误纠正码的大小要小时，输出警告信息。8.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，所述输出部件在所述地址信息中所含的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：神永雄大，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71