The invention discloses a method for improving the reading performance of a flash memory system. NAND flash memory is widely used, and read performance is one of the important performance of flash memory. Its promotion plays a vital role in the wider application and development of NAND flash memory. However, the traditional data reading method has higher reading time overhead, which leads to high decoding delay and low system read performance. Therefore, in order to improve the reading performance of the storage system of the invention, the original bit data and by programming interference after bit data comparison that bit error location information, and then use this information before the LDPC decoding of bit errors on the wrong position according to the number of pages in the first register bit flip, lower part of the bit the error, and then perform the decoding decoding operation, thereby reducing the decoding delay, so as to improve the reading performance of flash memory storage system.
【技术实现步骤摘要】
一种提升闪存存储系统读性能的方法
本专利技术属于固态盘存储
,更具体地,涉及一种提升闪存存储系统读性能的方法。
技术介绍
现如今,多级单元(Multi-LevelCell,简称MLC)NAND闪存由于其低能耗,低价格,非易失性,抗震性强等特性而被广泛应用于计算机存储系统和消费级电子产品中。MLCNAND闪存每单元存储两比特,基本的操作有写操作,读操作和擦除操作,在写操作的过程,两比特被写入不同的页中,两比特中的左比特被写入最高有效比特(MostSignificantbit,简称MSB)页,两比特中的右比特被写入最低有效比特(LeastSignificantbit,简称LSB)页。读性能是闪存的重要性能之一,它的提升对于MLCNAND闪存更广泛的应用与发展有着至关重要的作用。因此,需要寻找一种更快捷有效的数据读取方法,来提高读性能。然而,传统的数据读取方法在保证NAND闪存的数据可靠性方面存在一个不可忽略的问题,即在执行读操作的过程中,会执行译码操作,从而带来高的译码延迟,造成读操作时间开销较大,读性能较低。
技术实现思路
针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本专利技术提供了一种提升闪存存储系统读性能的方法和系统,其目的在于,通过分析MLCNAND闪存存储过程中编程干扰的特征,将受到编程干扰后的比特的位置信息进行存储,在对数据进行纠错之前,利用所记录的错误比特位置为译码提供有利信息,将所写入的数据暂时存储在一个缓存中,之后将受到编程干扰之后的数据读出,与之前缓存中的数据进行比较,将比特错误位置进行存储,当进行LDPC译码的时候,根据该存储的比特错误位置,预先 ...
【技术保护点】
一种提升闪存存储系统读性能的方法,其是应用在闪存系统中,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)发出顺序写命令,根据该顺序写命令使用LDPC编码器对闪存系统中的部分比特数据进行编码,并将编码后所得到的码字
【技术特征摘要】
1.一种提升闪存存储系统读性能的方法,其是应用在闪存系统中,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)发出顺序写命令,根据该顺序写命令使用LDPC编码器对闪存系统中的部分比特数据进行编码,并将编码后所得到的码字传输到页面寄存器,其中n表示码字长度;(2)将页面寄存器中的码字写入MLCNAND闪存的第一MSB页,对闪存系统中剩余的部分比特数据执行步骤(1)的处理,将处理得到的码字写入MLCNAND闪存的第一LSB页,并将第一MSB页中的码字以及第一LSB中的码字存放于第一缓存器中。(3)分别对闪存系统中剩余的比特数据执行步骤(1)的处理,并将得到的新的码字序列和分别写入第二MSB页和第二LSB页。(4)获取分别存储在第一MSB页和第一LSB中的码字和由于编程干扰而发生比特错误所形成的新比特序列和并将二者分别与存放于第一缓存器中的码字和进行比较,以分别获得新比特序列和中的比特错误位置信息和并将所获得的比特错误位置信息记录在第二缓存器中。(5)使用检测电平提取新比特序列对应的初始MSB软判决信息以及新比特序列对应的初始LSB软判决信息并将和传输到页面寄存器中。(6)根据步骤(4)中获得的比特错误位置信息和分别对步骤(5)提取的初始MSB软判决信息和初始LSB软判决信息进行处理。(7)使用标准最小和算法(即Normalizedmin-sum)对步骤(6)中获得的新的第一MSB页和第一LSB软信息和进行LDPC译码,对译码延迟进行统计,并将译码延迟和译码得到的结果发送到主机端。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中使用的编码算法是高斯消去算法。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(5)中使用检测电平提取初始的MSB和LSB软判决信息是通过如下公式(1)和(2)计算获得:1其中LLR(MSB)和LLR(LSB)分别表示初始MSB软判决信息和初始软LSB判决信息,表示是MLCNAND闪存单元的阈值电压的概率密度分布,且服从正态分布,V1和V2分别表示检测电平的参考电压下限值和上限值,CE代表状态‘11’,C1代表状态‘10’,C2代表状态‘00’,C3代表状...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴非,谢长生,张猛,崔兰兰,
申请(专利权)人:华中科技大学,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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