具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备制造技术

本发明专利技术涉及一种具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备。一种三维(3D)快闪存储器，包括：被布置在地选择线和最低主字线之间的第一伪字线，以及被布置在串选择线和最高主字线之间的具有不同的字线配置的第二伪字线。

Three dimensional flash memory device and data storage device with different pseudo word lines

The present invention relates to a three-dimensional flash memory device with different pseudo word lines and a data storage device. A three dimensional (3D) flash memory includes: a first pseudo word line between the ground selection line and the minimum main word line, and a second pseudo word line with different word line configurations arranged between the string selection line and the highest master word line.

【技术实现步骤摘要】
具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备本申请是申请日为2014年5月9日，申请号为“201410195246.9”，专利技术名称为“具有不同的伪字线的三维快闪存储器件和数据储存设备”的专利技术专利申请的分案申请。本申请要求2013年5月10日向韩国知识产权局提交的第10-2013-0053212号韩国专利申请的优先权，其主题通过引用并入本文。
本专利技术构思一般涉及半导体存储器件，而且更具体地，涉及三维(3D)快闪存储器件和包括3D快闪存储器件的数据储存设备。
技术介绍
快闪存储器的持续集成提供了当代用户所需的卓越性能和成本竞争力。在可以通过具有二维(2D)结构的快闪存储器实现的增大的集成度方面存在限制。为了克服这样的限制，在许多应用中更频繁地使用3D快闪存储器。然而，使用3D快闪存储器不可避免包括增加的编程干扰效应的问题。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供了三维快闪存储器件。在一个实施例中，提供了具有沿垂直于衬底的方向排列的多个单元串的三维(3D)快闪存储器件。该3D快闪存储器件包括：第一单元串，其连接在位线和公共源极线之间，而且包括编程单元；第二单元串，其连接在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有沿垂直于衬底的方向排列的多个单元串的三维快闪存储器件，所述三维快闪存储器件包括：第一单元串，连接在公共源极线与位线之间，并包括第一地选择晶体管、第一多个存储单元和第一串选择晶体管，其中，第一地选择晶体管、第一多个存储单元和第一串选择晶体管分别耦接到地选择线、多条主字线和第一串选择线，第一地选择晶体管与衬底相邻，第一串选择晶体管与位线相邻；第一伪字线，布置在地选择线与所述多条主字线之间，并与所述多条主字线中最下面的字线相邻；第二伪字线，布置在第一串选择线与所述多条主字线之间，并与所述多条主字线中最上面的字线相邻，其中，地选择线与第一伪字线之间的第一间隔长度不同于第一串选择线与第二伪字线之...

【技术特征摘要】
2013.05.10 KR 10-2013-00532121.一种具有沿垂直于衬底的方向排列的多个单元串的三维快闪存储器件，所述三维快闪存储器件包括：第一单元串，连接在公共源极线与位线之间，并包括第一地选择晶体管、第一多个存储单元和第一串选择晶体管，其中，第一地选择晶体管、第一多个存储单元和第一串选择晶体管分别耦接到地选择线、多条主字线和第一串选择线，第一地选择晶体管与衬底相邻，第一串选择晶体管与位线相邻；第一伪字线，布置在地选择线与所述多条主字线之间，并与所述多条主字线中最下面的字线相邻；第二伪字线，布置在第一串选择线与所述多条主字线之间，并与所述多条主字线中最上面的字线相邻，其中，地选择线与第一伪字线之间的第一间隔长度不同于第一串选择线与第二伪字线之间的第二间隔长度。2.根据权利要求1所述的三维快闪存储器件，其中，第一间隔长度比第二间隔长度短。3.根据权利要求1所述的三维快闪存储器件，其中，所述三维快闪存储器件还包括：第二单元串，连接在公共源极线与位线之间，并包括第二地选择晶体管、第二多个存储单元和第二串选择晶体管，其中，第二地选择晶体管、第二多个存储单元和第二串选择晶体管分别耦接到地选择线、多条主字线和第二串选择线，第二地选择晶体管与衬底相连接，第二串选择晶体管与位线相邻。4.一种具有沿垂直于衬底的方向排列的多个单元串的三维快闪存储器件，所述三维快闪存储器件包括：第一单元串，连接在公共源极线与位线之间，并耦接到地选择线、多条主字线和第一串选择线；第二单元串，连接在公共源极线与位线之间，并耦接到地选择线、所述多条主字线和第二串选择线；第一伪字线，布置在地选择线与所述多条主字线之间，其中，第一伪字线包括第一数目的字线，所述第一数目的字线包括第一字线，第一字线布置为与所述多条主字线中最下面的字线相邻，地选择线与衬底相邻；第二伪字线，布置在串选择线与所述多条主字线之间，其中，第二伪字线包括第二数目的字线，所述第二数目的字线包括第二字线，第二字线布置为与所述多条主字线中最上面的字线相邻，串选择线与位线相邻，其中，串选择线...

【专利技术属性】
技术研发人员：南尚完，朴起台，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR