一种IC封装工艺制造技术

本公开揭示了一种IC封装工艺，所述工艺生产的载板提高了IC封装密度、精度，在IC封装后基板与封装体可加热分离，简化了封装工艺，而且本公开在封装过程中不需贴高温胶纸，简化了封装工序，有利于节约成本和绿色生产。本公开还可应用在LED行业，如：EMC支架、CSP基板、灯丝灯及软灯条板的制造和封装。

A IC packaging process

The invention discloses a IC packaging process, the board production process improves the IC package density and precision, can be separated in IC after heating package substrate and package, simplifies the packaging process, and the public in the process of encapsulation without sticking high temperature adhesive tape, simplifies the packaging process, it helps to save cost and green production. It can also be used in the LED industry, such as: EMC bracket, CSP substrate, filament lamp and soft light strip manufacturing and packaging.

【技术实现步骤摘要】
一种IC封装工艺
本公开属于电子
，特别涉及一种IC封装工艺。
技术介绍
方形扁平无引脚封装(QuadFlatNo-leadPackage，QFN)技术是一种重要的集成电路封装工艺，具有表面贴装式封装，焊盘尺寸小、体积小、占有PCB区域小、元件厚度薄、非常低的阻抗、自感，可满足高速或者微波的应用等优点。由于底部中央的大面积裸露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上，使得QFN具有极佳的电和热性能。但缺点在于QFN中部向四周连续布线，线宽受限于铜厚、且难以设计孤岛电极，增加I/0数会带来的生产成本和可靠性问题，限制了芯片和PCB板的设计自由度。相比较而言球栅阵列芯片封装技术(BallGridArray.BGA)可增加I/O数和间距，在设计上较QFN更为灵活，但工艺检修困难，对PCB板工艺要求更高，不适用于可靠性要求高的器件的封装及产业效率的提高。受蚀刻能力的限制，在LEDEMC支架与倒装基板的生产精度和密度都会有所限制。而LED被要求高度集成，低的光成本及高可靠性，EMC支架及倒装CSP基板的加工能力受到较大的挑战。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本公开提出了一种IC封装工艺，所述工艺包括以下步骤：S1、在镀有低熔点金属镀层的刚性导电基板上进行局部树脂涂覆、预镀铜及树脂导电化处理，然后在预镀铜及树脂导电层上涂覆感光材料并进行图形转移、电镀、退膜、蚀刻得到IC封装载板；S2、对所述IC封装载板进行IC封装形成封装体：S3、对所述封装体底部的刚性导电基板进行加热，当刚性导电基板温度超过低熔点金属镀层的熔点温度后，将刚性导电基板与封装体进行分离；S4、对封装体进行表面处理、电测、分割或包装，完成IC封装制程。本公开具有以下有益效果：1、本公开结合了QFN和BGA封装技术的优势，可大量设计孤岛电极，显著增加集成电路封装I/0数，另外，通过对电极侧壁铜层微蚀刻，增强了顶电极和底电极之间的铜表面与封装树脂材料的结合。本公开与QFN相比：QFN在灌封树脂材料时需贴耐高温胶纸，而本公开不需贴高温胶纸，减少了贴胶与撕胶两个工序；而且本公开的底电极不需要再次电镀锡；本公开的IC个体之间是非连通的，可实现模组化测试从而提高了检验测试效率，而且本公开提高了载板的精度。产品封装后可对产品直接加热，使得刚性基板与封装后的集成电路易于剥离，不需要将整个刚性导电基板完全腐蚀掉，有利于节约成本和绿色生产。2、本公开应用在LED行业，如：EMC支架、CSP基板、灯丝灯及软灯条板。EMC支架制作不需考虑精细蚀刻工艺的问题，塑封也不会产生溢胶等不良；同时应用在LED倒装基板CSP上则解决了SMT短路的问题；灯丝灯板及软灯条板运用此公开来制作，解决了灯板材料弯折强度不够、加工工艺复杂等问题，而且此种产品可在封装后再剥离，固晶不需特殊治具，极大提高了工作效率和良品率。附图说明图1为采用本公开一个实施例制作的产品截面图；图2为采用本公开一个实施例使用的有低熔点金属镀层的刚性导电基板截面图；图3为采用本公开一个实施例产品局部涂覆树脂材料后截面图；图4为采用本公开一个实施例产品预镀铜后的截面图；图5为采用本公开一个实施例产品金属化后的截面图；图6为采用本公开一个实施例产品涂覆感光材料再图形转移后的截面图；图7为采用本公开一个实施例产品电镀铜及电镀顶电极后的截面图；图8为采用本公开一个实施例产品退膜后的截面图；图9为采用本公开一个实施例产品蚀刻后的截面图；图10为采用本公开一个实施例产品固晶后的截面图；图11为采用本公开一个实施例产品焊线后的截面图；图12为采用本公开一个实施例产品封装后的截面图；图13为采用本公开一个实施例制作的产品截面图；图14为采用本公开一个实施例制作的产品截面图；图15为采用本公开一个实施例使用的有低熔点金属镀层的刚性导电基板截面图；图16为采用本公开一个实施例产品预镀铜后的截面图；图17为采用本公开一个实施例产品涂覆感光材料再图形转移后的截面图；图18为采用本公开一个实施例产品电镀铜及电镀顶电极后的截面图；图19为采用本公开一个实施例产品退膜后的截面图；图20为采用本公开一个实施例产品蚀刻后的截面图；图21为采用本公开一个实施例产品固晶后的截面图；图22为采用本公开一个实施例产品焊线后的截面图；图23为采用本公开一个实施例产品封装后的截面图；图24为采用本公开一个实施例制作的产品截面图；图25为采用本公开一个实施例产品底电极退锡后的截面图；图26为采用本公开一个实施例制作的产品截面图；图27为采用本公开一个实施例产品电镀铜后的截面图；图28为采用本公开一个实施例产品涂覆二次感光材料、图形转移后的截面图；图29为采用本公开一个实施例的产品二次电镀铜、电镀顶电极后的截面图；图30为采用本公开一个实施例产品退膜后的截面图；图31为采用本公开一个实施例产品蚀刻后的截面图；图32采用本公开一个实施例产品固晶后的截面图；图33为采用本公开一个实施例产品焊线后的截面图；图34为采用本公开一个实施例产品封装后的截面图；图35为采用本公开一个实施例制作的产品截面图；图36为采用本公开一个实施例产品电镀镍后的截面图；图37为采用本公开一个实施例产品退膜后的截面图；图38为采用本公开一个实施例产品蚀刻后的截面图；图39为采用本公开一个实施例产品注胶形成围堰后的截面图；图40为采用本公开一个实施例产品电镀顶电极后的截面图；图41为采用本公开一个实施例产品固晶后的截面图；图42为采用本公开一个实施例产品焊线后的截面图；图43为采用本公开一个实施例产品封装后的截面图；图44为采用本公开一个实施例制作的产品截面图；图45为采用本公开一个实施例产品电镀铜后截面图；图46为采用本公开一个实施例产品退膜后的截面图；图47为采用本公开一个实施例产品蚀刻后的截面图；图48为采用本公开一个实施例产品过有机导电膜后的截面图；图49为采用本公开一个实施例产品固晶后的截面图；图50为采用本公开一个实施例产品封装后的截面图；图51为采用本公开一个实施例制作的产品截面图；图52为采用本公开一个实施例产品电镀底电极后截面图；图53为采用本公开一个实施例产品电镀铜、顶电极后后截面图；图54为采用本公开一个实施例产品退膜后的截面图；图55为采用本公开一个实施例产品蚀刻后的截面图；图56为采用本公开一个实施例产品固晶后的截面图；图57为采用本公开一个实施例产品打线后的截面图；图58为采用本公开一个实施例产品封装后的截面图；图59为采用本公开一个实施例产品分离刚性导电基板后的截面图；图60为采用本公开一个实施例产品退锡后的截面图；图61为采用本公开一个实施例产品封装后的截面图；图62为采用本公开一个实施例产品蚀刻后的平面图；图63为采用本公开一个实施例产品封装后的平面图；其中：1-铝基板；2-低熔点金属层；3-树脂；4-预镀铜层；5-树脂导电层；6-感光材料；7-电镀铜层；8-镍层；9-金层(顶电极)；10-固晶胶；11-IC；12-金线；13-封装胶；14-铁基板；15-银层(顶电极)；16-银层(底电极)；17-二次感光材料；18-二次电镀铜层；19-热固环氧树脂；20-有机助焊膜；21-荧光胶；22-并联电路；23-串联电路。具体实施方式下面结合附图和具体的实施例对本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IC封装工艺，其特征在于：所述工艺包括以下步骤：S1、在镀有低熔点金属镀层的刚性导电基板上进行局部树脂涂覆、预镀铜及树脂导电化处理，然后在预镀铜及树脂导电层涂覆感光材料并进行图形转移、电镀、退膜、蚀刻得到IC封装载板；S2、对所述IC封装载板进行IC封装形成封装体；S3、对所述封装体底部的刚性导电基板进行加热，当刚性导电基板温度超过低熔点金属镀层的熔点温度后，将刚性导电基板与封装体进行分离；S4、对封装体进行表面处理、电测、分割或包装，完成IC封装制程。

【技术特征摘要】
1.一种IC封装工艺，其特征在于：所述工艺包括以下步骤：S1、在镀有低熔点金属镀层的刚性导电基板上进行局部树脂涂覆、预镀铜及树脂导电化处理，然后在预镀铜及树脂导电层涂覆感光材料并进行图形转移、电镀、退膜、蚀刻得到IC封装载板；S2、对所述IC封装载板进行IC封装形成封装体；S3、对所述封装体底部的刚性导电基板进行加热，当刚性导电基板温度超过低熔点金属镀层的熔点温度后，将刚性导电基板与封装体进行分离；S4、对封装体进行表面处理、电测、分割或包装，完成IC封装制程。2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于，优选的，制成步骤S1所述的低熔点金属镀层的的材质包括铜板、铝板、不锈钢板、铁板或覆铜板中的一种。3.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：所述低熔点金属镀层的熔点温度为180-280℃。4.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：步骤S1所述的局部树脂涂覆是指在刚性导电基板的低熔点金属镀层上的某些区域涂覆树脂材料。5.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：步骤S1所述的预镀铜包括氰化铜镀铜或焦磷酸铜镀铜。6.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：步骤S1所述的电镀是在图形转移后的预镀铜表面的裸露区先电镀铜，再在镀铜层上镀顶电极。7.根据权利要求6所述的工艺，其特征在于：所述顶电极为标准电极，选用电势...

【专利技术属性】
技术研发人员：何忠亮，丁华，郭秋卫，陈镇明，
申请(专利权)人：深圳市环基实业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44