The invention relates to a metal column conducting chip package structure and its process method, which comprises a chip (1), the chip (1) are arranged around the metal column (2), the chip (1) and metal column (2) peripheral encapsulating plastic material (3) chip. (1) is arranged in the pad (10), column (2) and metal pad (10) is arranged between the first conductive layer (5), metal column (2) are arranged on the back of the second conductive layer (6), a first conductive layer (5) and second (6) is arranged on the conductive layer a circuit layer (7), a second conductive layer (6) on the circuit layer (7) is arranged on the anti metal oxide layer (8), plastic material (4) the front and back are coated with insulating material (9) second. The invention is not making use of complex substrate, the direct use of metal plate punching or etching to form a metal column plate, so that subsequent electric conduction. The production cycle is short, and the sheet metal column has low production cost, high production efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种金属柱导通芯片级封装结构及其工艺方法
本专利技术涉及一种金属柱导通芯片级封装结构及其工艺方法,属于半导体封装
技术介绍
常规的基板埋芯片的结构都是在具有开口的基板内埋入芯片,然后进行芯片的电性连接,一般使用制作完整的基板进行制程,首先基板的制作流程相对复杂,需花费周期较长,成本相对比较高,而且基板内的层数多,层间材料比较复杂,各类材料的热膨胀系数和收缩率不同,所以基板会翘曲变形,使得后续制程有影响。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种金属柱导通芯片级封装结构及其工艺方法,它不使用制作繁琐的基板,使用金属板冲切或者蚀刻形成金属柱板,以便后续电性导通,制作周期较短,且金属柱板材制作成本低,生产效率高。本专利技术解决上述问题所采用的技术方案为:一种金属柱导通芯片级封装结构,它包括芯片,所述芯片周围设置有一圈金属柱,所述芯片和金属柱外围区域包封有塑封料,所述芯片正面和金属柱正面与塑封料正面齐平,所述金属柱背面与塑封料背面齐平,所述芯片正面设置有焊垫,所述焊垫与焊垫之间以及金属柱与焊垫之间涂覆有第一绝缘材料,所述金属柱正面与焊垫之间通过第一导电层相连接,所述金属柱背面设置有第二导电层,所述第一导电层与第二导电层上均设置有线路层,所述第二导电层上的线路层上设置有抗金属氧化层,所述塑封料正面和背面均包覆有第二绝缘材料,所述抗金属氧化层露出于第二绝缘材料表面。一种金属柱导通芯片级封装结构的工艺方法,它包括以下步骤:步骤一、取一片金属板;步骤二、采用冲切或蚀刻工艺将金属板形成中间镂空、周围有一圈或多圈金属柱的金属柱板;步骤三、将金 ...
【技术保护点】
一种金属柱导通芯片级封装结构,其特征在于:它包括芯片(1),所述芯片(1)周围设置有一圈金属柱(2),所述芯片(1)和金属柱(2)外围区域包封有塑封料(3),所述芯片(1)正面和金属柱(2)正面与塑封料(3)正面齐平,所述金属柱(2)背面与塑封料(3)背面齐平,所述芯片(1)正面设置有焊垫(10),所述焊垫(10)与焊垫(10)之间以及金属柱(2)与焊垫(10)之间涂覆有第一绝缘材料(4),所述金属柱(2)正面与焊垫(10)之间通过第一导电层(5)相连接,所述金属柱(2)背面设置有第二导电层(6),所述第一导电层(5)与第二导电层(6)上均设置有线路层(7),所述第二导电层(6)上的线路层(7)上设置有抗金属氧化层(8),所述塑封料(4)正面和背面均包覆有第二绝缘材料(9),所述抗金属氧化层(8)露出于第二绝缘材料(9)表面。
【技术特征摘要】
1.一种金属柱导通芯片级封装结构,其特征在于:它包括芯片(1),所述芯片(1)周围设置有一圈金属柱(2),所述芯片(1)和金属柱(2)外围区域包封有塑封料(3),所述芯片(1)正面和金属柱(2)正面与塑封料(3)正面齐平,所述金属柱(2)背面与塑封料(3)背面齐平,所述芯片(1)正面设置有焊垫(10),所述焊垫(10)与焊垫(10)之间以及金属柱(2)与焊垫(10)之间涂覆有第一绝缘材料(4),所述金属柱(2)正面与焊垫(10)之间通过第一导电层(5)相连接,所述金属柱(2)背面设置有第二导电层(6),所述第一导电层(5)与第二导电层(6)上均设置有线路层(7),所述第二导电层(6)上的线路层(7)上设置有抗金属氧化层(8),所述塑封料(4)正面和背面均包覆有第二绝缘材料(9),所述抗金属氧化层(8)露出于第二绝缘材料(9)表面。2.一种金属柱导通芯片级封装结构的工艺方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:步骤一、取一片金属板;步骤二、采用冲切或蚀刻工艺将金属板形成中间镂空、周围有一圈或多圈金属柱的金属柱板;步骤三、将金属柱板通过粘性材料放置于载板上;步骤四、将芯片放置于金属柱板的镂空区域,贴...
【专利技术属性】
技术研发人员:张江华,梁新夫,
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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