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本发明涉及一种金属柱导通芯片级封装结构及其工艺方法，所述结构包括芯片（1），所述芯片（1）周围设置有金属柱（2），所述芯片（1）和金属柱（2）外围包封有塑封料（3），芯片（1）正面设置有焊垫（10），金属柱（2）与焊垫（10）之间设置有第一...
该专利属于江苏长电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏长电科技股份有限公司授权不得商用。

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