晶体管结构、显示装置以及制造晶体管结构的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶体管结构、显示装置以及制造晶体管结构的方法。该晶体管结构可以包括：第一电极、第二电极、第三电极、基板和半导体构件。半导体构件与第三电极重叠并且包括第一半导体部分、第二半导体部分和第三半导体部分。第一半导体部分直接接触第一电极、直接连接至第三半导体部分并且通过第三半导体部分连接至第二半导体部分。第二半导体部分直接接触第二电极并且直接连接至第三半导体部分。第一半导体部分与基板之间的最小距离不等于第二半导体部分与基板之间的最小距离。

Transistor structure, display device and method for manufacturing transistor structure

The invention relates to a transistor structure, a display device and a method of manufacturing a transistor structure. The transistor structure can include: the first electrode, the second electrode, the third electrode, the substrate and the semiconductor component. The semiconductor component overlaps with the third electrode and includes the first semiconductor part, the second semiconductor part and the third semiconductor part. The first part of the semiconductor in direct contact with the first electrode, directly connected to the third semiconductor part and third through the semiconductor part is connected to the second semiconductor part. The second semiconductor portion contacts the second electrode directly and is directly connected to the third semiconductor portion. The minimum distance between the first semiconductor part and the substrate is not equal to the minimum distance between the semiconductor part and the substrate second.

【技术实现步骤摘要】
晶体管结构、显示装置以及制造晶体管结构的方法本申请要求享有2016年4月29日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2016-0053025号的优先权和权益；该韩国专利申请的公开通过引用合并于本文。

涉及一种晶体管结构、一种包括该晶体管结构的液晶显示装置以及一种制造该晶体管结构的方法。
技术介绍
显示装置可以根据输入信号显示图像。显示装置的各种类型可以包括液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置以及其他。诸如液晶显示装置的显示装置可以包括场生成电极以及液晶层，场生成电极诸如像素电极和公共电极。电压可以施加至场生成电极以在液晶层中生成电场，以用于控制入射光的传输，由此显示图像。显示装置可以包括晶体管和遮光构件。晶体管可以控制电压的施加并且可以布置在由遮光构件所覆盖的遮光区域中。遮光区域的大小可以影响由显示装置所显示的图像的质量。
技术实现思路
在实施例中，一种阵列基板可以是/包括晶体管结构。实施例可以涉及一种包括具有高孔径比的像素的阵列基板。实施例可以涉及一种包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的阵列基板。实施例可以涉及一种适用于高分辨率显示装置的阵列基板。实施例可以涉及一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管结构，包括：基板；布置在所述基板上的第一电极；与所述第一电极间隔开的第二电极；以及第一半导体构件，所述第一半导体构件包括直接接触所述第一电极的第一半导体部分、直接接触所述第二电极的第二半导体部分以及直接连接所述第一半导体部分和所述第二半导体部分的第三半导体部分，其中所述第一半导体部分与所述基板之间的最小距离不等于所述第二半导体部分与所述基板之间的最小距离。

【技术特征摘要】
2016.04.29 KR 10-2016-00530251.一种晶体管结构，包括：基板；布置在所述基板上的第一电极；与所述第一电极间隔开的第二电极；以及第一半导体构件，所述第一半导体构件包括直接接触所述第一电极的第一半导体部分、直接接触所述第二电极的第二半导体部分以及直接连接所述第一半导体部分和所述第二半导体部分的第三半导体部分，其中所述第一半导体部分与所述基板之间的最小距离不等于所述第二半导体部分与所述基板之间的最小距离。2.根据权利要求1所述的晶体管结构，进一步包括第三电极，所述第三电极与所述第一半导体构件重叠。3.根据权利要求2所述的晶体管结构，其中所述第三电极包括：与所述第一半导体部分重叠的第一导电部分、与所述第二半导体部分重叠的第二导电部分以及直接连接所述第一导电部分和所述第二导电部分的第三导电部分，其中所述第一导电部分与所述基板之间的最小距离不等于所述第二导电部分与所述基板之间的最小距离。4.根据权利要求3所述的晶体管结构，进一步包括结构构件，所述结构构件在垂直于所述基板的侧边的方向上定位在所述第一半导体部分与所述基板之间。5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其中所述第一导电部分与所述结构构件重叠，并且所述第二导电部分不与所述结构构件重叠。6.根据权利要求4所述的晶体管结构，其中所述第一半导体部分与所述基板之间的最小距离比所述第二半导体部分与所述基板之间的最小距离大第一量，并且其中所述第一量大于0且小于或等于所述结构构件的厚度。7.根据权利要求4所述的晶体管结构，其中所述第二电极与所述结构构件间隔开。8.根据权利要求4所述的晶体管结构，其中所述第一半导体构件直接接触所述结构构件。9.根据权利要求4所述的晶体管结构，其中所述第三电极直接接触所述结构构件。10.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中所述第一半导体部分直接接触所述第一电极的下表面，并且所述第二半导体部分直接接触所述第二电极的上部。11.根据权利要求1所述的晶体管结构，其中所述第三半导体部分在所述晶体管结构的剖视图中相对于所述第一半导体部分以第一角度延伸，并且其中所述第一角度大于0度并且小于180度。12.根据权利要求11所述的晶体管结构，其中所述第一角度是90度。13.一种显...

【专利技术属性】
技术研发人员：李弦燮，卢正训，宋根圭，张常希，崔炳锡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR