薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括：基板；设置在基板一个表面上的栅极；设置在基板的一个表面上、且覆盖栅极的栅绝缘层；设置在栅绝缘层远离基板表面上的有源层；设置在栅绝缘层和有源层远离基板表面上的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极均包括金属层和金属配合物层，且金属层靠近基板设置。设置金属配合物层，增大了金属与PR胶之间的粘附力，金属层不会和光刻胶脱落分离，可以制备宽度细化(可以小于2微米)的栅极、源极和漏极，有利于缩小该薄膜晶体管的体积，提高含有该薄膜晶体管的显示器件的开口率、对比度及分辨率。

Thin film transistor and its preparation method, array substrate and display device

The present invention provides a thin film transistor array substrate and preparation method thereof, and display device. The thin film transistor includes: a substrate; arranged on one surface of the substrate gate; arranged on one surface of the substrate, and a gate insulating layer covering the gate electrode; a gate insulating layer arranged on the substrate from the active layer on the surface of an insulating layer; and the active layer on the surface of the substrate is far from the source and drain electrodes in the gate; gate, source and drain includes a metal layer and a metal layer of the complex, and the metal layer near the substrate is provided. Set the layer of metal complexes, increase the adhesion between the metal and PR plastic, metal layer and the photoresist will not be separated, can be prepared to refine the width (may be less than 2 microns) of the gate, source and drain, to reduce the volume of the thin film transistor, thin film transistor containing the improved display rate the contrast and resolution of the opening device.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体的，涉及制备薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着显示面板要求的不断提高，TFT金属导线细线化成为所要求的一项要点，TFT金属导线细线化可以解决开口率、负载电容等问题。但是，在目前所进行氧化物TFT-LCD项目中，形成源漏极的材料为导电性能更好的金属铜。而铜的缓冲层金属与PR胶的粘附力是一项需要解决的问题。同时，随着显示中对比度及分辨率的要求不断提高，需要栅极及源漏极线宽做到较细的水平，然而，细线化的金属线会带来刻蚀过程金属与光刻(PR)胶粘附力的问题。金属刻蚀过程中，如果所要得到的图形线宽较细，就会带来金属与光刻胶之间结合力变小从而导致PR胶脱落的现象，上述危害制约着金属细线化工艺。同时，由于在HTM(半色调掩膜版)工艺中，二次刻蚀过程金属与PR胶的粘附截面会减小，所以常用的HTM工艺在二次刻蚀过程中PR胶脱落种现象会加剧。因此，关于金属导线细线化的研究有待深入。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种能够实现金属电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；栅极，所述栅极包括栅极金属层和栅极金属配合物层，其中，所述栅极金属层设置在所述基板的一个表面上，所述栅极金属配合物层设置在所述栅极金属层远离所述基板的表面上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述基板的一个表面上，且覆盖所述栅极；有源层，所述有源层设置在所述栅绝缘层远离所述基板的表面上；源极，所述源极包括源极金属层和源极金属配合物层，所述源极金属层设置在所述栅绝缘层和所述有源层远离所述基板的表面上，所述源极金属配合物层设置在所述源极金属层远离所述基板的表面上；漏极，所述漏极包括漏极金属层和漏极金属配合物层，所述漏极金属层设置在所述栅绝缘层和所述有源层远离所述基...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；栅极，所述栅极包括栅极金属层和栅极金属配合物层，其中，所述栅极金属层设置在所述基板的一个表面上，所述栅极金属配合物层设置在所述栅极金属层远离所述基板的表面上；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述基板的一个表面上，且覆盖所述栅极；有源层，所述有源层设置在所述栅绝缘层远离所述基板的表面上；源极，所述源极包括源极金属层和源极金属配合物层，所述源极金属层设置在所述栅绝缘层和所述有源层远离所述基板的表面上，所述源极金属配合物层设置在所述源极金属层远离所述基板的表面上；漏极，所述漏极包括漏极金属层和漏极金属配合物层，所述漏极金属层设置在所述栅绝缘层和所述有源层远离所述基板的表面上，所述漏极金属配合物层设置在所述漏极金属层远离所述基板的表面上。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极金属配合物层、源极金属配合物层和漏极金属配合物层是通过以下步骤形成的：于30-40摄氏度条件下，使所述栅极金属层、源极金属层和漏极金属层远离所述基板的表面与配体溶液接触30-90秒。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述配体溶液含有乙酸、二氮二磷杂环戊烷和二氧杂环戊烷中的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，曹占锋，姚琪，汪建国，薛大鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11